特長
· 垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）
· 内蔵TECおよびサーミスタ、ESD保護
· 狭線幅
· TECによる約2 nmの波長可変
· ルビジウム D1 遷移向け選別品
電気・光学特性（E/O特性）
測定条件： TOP = 20 °C、IOP = 2.0 mA（TEC制御）
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | 備考 |
発光波長 | λR | 794.7nm |
しきい値電流 | Ith |
| 0.5 |
| mA |
|
光出力 | Popt | 0.25 |
|
| mW |
|
しきい値電圧 | Vth |
| 1.8 |
| V |
|
駆動電流 | Iop |
|
| 2 | mA | Popt = 0.3 mW |
レーザー電圧 | Vop |
| 2 |
| V | Popt = 0.3 mW |
光変換効率 | ηWP |
| 12 |
| % | Popt = 0.3 mW |
傾き効率 | ηs |
| 0.3 |
| W/A |
|
微分直列抵抗 | Rs |
| 250 |
| Ω | Popt = 0.3 mW |
3dB帯域幅 | V3dB | 0.1 |
|
| GHz | Popt =0.3 mW |
ESD保護用ダイオード内蔵 |
相対強度雑音 | RIN |
| -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz |
電流による波長チューニング |
|
| 0.6 |
| nm/mA |
|
温度変化による波長チューニング |
|
| 0.06 |
| nm/K |
|
熱抵抗（VCSELチップ） | Rthermal | 3 |
| 5 | K/mW |
|
SMSR |
| 25 |
|
| dB | I = 2 mA |
ビーム発散角 | θ | 10 |
| 25 | ° | Popt = 0.3 mW 1/e² 全幅 |
スペクトル幅 |
|
| 100 |
| MHz | Popt = 0.3 mW |
TEC特性 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
TEC電流 | mA | -150(Heating) |
| +300(Cooling) | 適切な放熱器（ヒートシンク）必要 |
NTC熱抵抗 | KΩ | 9.5 | 10 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC熱抵抗 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} |
スペクトル
L-I特性（25℃）
TEC電流による温度/波長調整
Fabry-Perotスペクトル
パッケージサイズ
寸法単位：mm
ピン定義
底面図
1 | ケース | 4 | VCSEL+ |
2 | Rth | 5 | TEC- |
3 | TEC+ | 6 | VCSEL-/Rth |
絶対最大定格
項目 | 記号 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | テスト条件 |
チップ温度 | TOP | ℃ | +10 | 25 | 40 |
|
順方向電圧 | VR | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
|
消費電力 | Pc | mw |
| - | 5 |
|
TEC順電流 | IPF | mA | -150 | - | +300 |
|
リード線はんだ付け時間 |
| S |
| - | 10s | 260℃ |
保存温度 | TSTG | ℃ | -40 | - | +85 | 2000hr |
動作温度 | TOP | ℃ | -55 | - | +125 |
|
(TEC温度は150 °C以下である必要があります)
応用 / 用途
· 可変波長ダイオードレーザー吸収分光（TDLAS）
· ルビジウム分光
· 光時計（ルビジウム）
注文情報
PL -VCSEL-□□□□-☆-A8▽-XX
□□□□：波長
0760:760nm
0795:794.7nm
*****
1653.7：1653.7nm
☆ ：TEC
0： TECなし
1：TEC付き
▽：波長許容範囲
1：±0.5nm
2：±1.5nm
XX: パッケージ
TO46
使用者の安全
本デバイスは 逆バイアス電圧 下で動作するため、極性を逆に接続してはいけません。フォトダイオードを 最大定格を超えて使用 すると、デバイスの故障や安全上の危険が生じる可能性があります。また、本部品に使用する電源は 最大ピーク光出力 を超えないようにしてください。
静電気放電（ESD）はレーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因となります。フォトダイオードを取り扱う際には、手首ストラップの着用、接地された作業面の使用、厳格な静電気防止手法の実施など、十分な注意を払ってください。
