1550nm ゲインチップ     


ゲインチップは、外部共振器レーザーダイオードの光利得媒体として用いられる半導体光学素子です。
ゲインチップは、回折格子などの波長選択フィルターを用いて発振波長を変化させることができる TLS(可変波長光源) としても利用されます。



製品 モデル


名称 モデル 価額
1550 nmゲインチップ   [PDF]  [RFQ]

GC-1550-1
[お問い合わせください]

パラメータ


電気・光学特性(E/O特性)

基本パラメータ

パラメータ

記号

試験条件

最小値.

典型値.

最大値

単位

中心波長

λc

If=100mA Tc=25°C

1520

-

1560

nm

  動作電流

Iop

Tc=25°C

-

250

-

mA

 順方向電圧

Vf

IF=100mA, Tc=25°C

-

1

1.5

V

スペクトル変調

M

IF=100mA, Tc=25°C

-

3

-

dB

ASE スペクトル帯域幅

BW

IF=100mA, Tc=25°C

-

50

-

nm

 ビーム角

Ang

IF=100mA, Tc=25°C

-

19.5

-

°

 ASE 出力

Po

IF=100mA, Tc=25°C

-

2

-

mW

AR 反射率

R1


-

-

0.005

%

HR 反射率

R2


-

95

-

%

 水平方向発散角

θ∥

IF=100mA, Tc=25°C

-

18

-

°

 垂直方向発散角

θ⊥

IF=100mA, Tc=25°C

-

29

-

°

 

 PIV-25°C


t3_1.png


ASEスペクトル(動作電流:100mA、分解能:0.5nm)


スペクトル平坦度:約 0.1dB3dB 帯域幅:約 50nm中心波長:約 1555nm


t5.jpg


t6.jpg


t7.jpg


発散角


t8.jpg

水平方向発散角:17.74° 垂直方向発散角:28.89°



t9.jpg


 水平方向発散角:17.64°垂直方向発散角:30.08°


外形図およびダイ寸法

チップ外観および寸法、単位(mm)



t2_1.png

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