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    InGaAs アバランシェフォトダイオード（APD）チップは、赤外領域における微弱光信号を検出するために設計された半導体デバイスです。光ファイバー通信、LIDAR、各種センシングなど幅広い用途で使用されます。

    APD は内部増幅機構を備えたフォトダイオードの一種であり、通常のフォトダイオードよりも高感度での検出が可能です。この増幅は「アバランシェ増倍」と呼ばれるプロセスにより実現されます。単一の光子によって生成された電子-正孔対が衝撃電離を引き起こし、追加の電子-正孔対を生成することで出力信号が増幅されます。

    InGaAs APD は特に 800～1700 nm の波長検出に適しています。LD-PD INC は、InGaAs APD チップの設計・製造を行う企業です。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    InGaAs Φ 200μm APD チップ   [PDF]  [RFQ]

    LP-APD200
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    パラメータ


    電気・光学特性（E/O特性）

    電気光学特性（Tc = 22 ± 3 ℃）

     

    パラメータ

    記号

    試験条件

    最小値.

    典型値.

    最大値.

    単位

     応答スペクトル

    λ

    —

    950～1700

    nm

    光電感度

    Re

    λ=1550nm

    Pin=1μW,  M=1

    0.90

    1.00

    —

    A/W

    増倍率

    M

    λ=1550nm

    Pin=1μW, VR=VBR-3

    10.00


    —

    —

    λ=1550nm

    Pin=1μW, VR=VBR-1

    30.00

    —

    —

    —

     暗電流

    Id

    VR=VBR-3, Pin=0μW

    —

    8.00

    50.00

    nA

     -3 dB カットオフ周波数

    BW

    M=10

    RL=50Ω

    0.60

    1.25

    —

    GHz

    逆方向降伏電圧

    VBR

    IR =10μA, Pin=0μW

    35.00


    50.00

    V

     容量

    C

    VR=VBR-3, f=1MHz

    —

    1.80

    2.00

    pF

     VBR の温度係数

    γ

    IR=10μA,  Pin=0μW

    -55℃~+85℃

    0.07

    0.11

    0.15

    V/℃

     

    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    最小値.

    最大値.

    単位

    APD 電源電圧

    VPD

    —

    VBR

    V

     動作温度

    TC

    -40

    +85

    ⁰C

      保存温度

    TSTG

    -55

    +125

    ⁰C

     順方向電流

    IF

    —

    5

    mA

     逆方向電流

    IR

    —

    3

    mA


    典型特性曲線（チップ温度 Tc = 22 ± 3 ℃）


    APD2.jpg


    APD3.jpg


    外形図およびダイ寸法


    APD5.jpg

    パラメータ

    最小値

    典型値.

    最大値.

    単位

    備考

      ダイ幅

    375

    385

    395

    µm


     ダイ長さ

    375

    385

    395

    µm


     厚さ

    115

    125

    135

    µm


     検出窓

    —

    200

    —

    µm


     ボンディングパッド直径

    —

    80

    —

    µm

    金（Au）メタル


    応用 / 用途

    ·  距離測定

    ·  空間光伝送

    ·  OTDR（光時間領域反射計）

    ·  低光レベル検出




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