20 GHz 薄膜リチウムニオベート IQ変調器     


20G薄膜変調器の設計は、マッハツェンダー(MZ)スーパーストラクチャ内に埋め込まれた2つのマッハツェンダー変調器によるデュアルパラレル構造に基づいています。各内部変調器は、20 GHz以上のEO帯域幅を持つように設計されています。自動バイアス制御のためにモニタ光電二極管も搭載されています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
20 GHz IQ変調器式   [PDF]  [RFQ]

IQM20
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パラメータ


特長

● 薄膜 Xカット リチウムニオベート
● Cバンド動作
● 高帯域幅動作 > 20 GHz
● Telcordia GR-468-Core 準拠
● 密封パッケージ
● 優れた直線性


仕様

製品仕様(明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施)

カテゴリ

パラメータ

記号

単位

性能

光学特性

動作波長

λ

nm

~1550

消光比(@DC)

ER

dB

≥25dB

 光反射損失

ORL

dB

≤-15

 光挿入損失

IL

dB

~6

電気特性

 3dB 帯域幅

S21

GHz

I

Q

20

20

 RF 負荷

Rm

Ohm

50 ±5

  RF Vπ(@50 kHz)

Vπ -P

V

3~3.5

  RF Vπ(@50 kHz)

Vπ -C

V

3~3.5

  ヒーター抵抗

Rh

Ohm

4000 ± 10%

親ヒーター Pπ(@DC)

Pπ -P

mW

50

 子ヒーター Pπ(@DC)

Pπ -C

mW

50

 RF 反射損失(100 MHz~30 GHz)

S11

dB

-10

テスト条件

 動作温度

To

-20~70

ファイバタイプ

PM1550/SMF-28E

 

帯域幅S21カーブ


40 GHZ1.png

40 GHZ2.png

絶対最大定格

パラメータ

記号

最小値

最大値

典型値

単位

RF 入力パワー

Sin

-

-

10

dBm

ヒーターバイアス電圧


0

5


V

 保存温度


-40

85

25

 相対湿度

RH

5

90

50

%



寸法およびピン定義

寸法 (mm) 


40 GHZ3.png


ピン接続

ピン

記号l

説明

ピン

記号l

説明

RF1

R1

RF INPUT Q

7

DC7

I BIAS

RF2

R2

RF INPUT I

8

DC8

IN MPD N

1

DC1

IN MPD P

9

DC9

OUT MPD N

2

DC2

Q BIAS

10

DC10

OUT MPD P

3

DC3

Q BIAS

11

DC11

Q MPD P

4

DC4

P BIAS

12

DC12

Q MPD N

5

DC5

P BIAS

13

DC13

I MPD P

6

DC6

I BIAS

14

DC14

I MPD N



応用 / 用途

● OFDM符号化
● QPSK符号化
● QAM符号化
● CS-SSB(キャリア抑圧単一側波帯)
● 自動運転向けFMCW LiDAR


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