10 mm x 10 mm Geフォトダイオード     


ゲルマニウムフォトダイオードは、特にコスト重視の用途や大面積検出器が必要な場合に、近赤外(NIR)領域の光パワー測定によく用いられます。しかし、ゲルマニウム検出器は同等サイズのInGaAs検出器に比べてシャント抵抗が低く、暗電流が高いため、全体的なノイズレベルが高くなります。そのため、検出信号がノイズフロアより十分に高い用途に適しています。GPD Optoelectronicsは、通常より高いシャント抵抗を持ち、性能を向上させた「HSシリーズ」のゲルマニウムフォトダイオードを提供しています。



製品 モデル


ネーム モデル 価額
10 mm x10 mm Geフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

LP-GE-10X10
Stock NO.: E80040087
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

·  チップ径:1 mm~25 mm

·  スペクトル応答:800 nm~1800 nm

·  高い直線性:>10 dBm

·  複数のウィンドウおよびレンズオプション

·  光学フィルタ対応(ニュートラルデンシティ、バンドパスなど)

·  サーモエレクトリック冷却オプション

·  幅広いパッケージ種類:TOパッケージ、BNCオプション、セラミックサブマウント  上のチップなど


仕様

仕様

センサ材料

Ge

 波長範囲

800   - 1800 nm

ピーク波長

1550 nm   (Typ.)

感度

0.95 A/W   (Typ.)

 アクティブエリア

100 mm2 (10 mm x 10 mm)

  立ち上がり/立ち下がり時間(負荷抵抗 RL = 50 Ω、1 V)

10 µs (Typ.)

 ノイズ等価光パワー(NEP、1550 nm)

4.0 x 10-12  W/Hz1/2 (Typ.)

 暗電流(0.3 V)

50 µA (Max)

 静電容量

80 nF (Typ.) @ 1 V
  135 nF (Typ.) @ 0 V

シャント抵抗

2000  Ohm (Typ.)

  パッケージ

セラミック

 

 

最大定格

最大バイアス(逆方向)電圧

1 V

逆電流

10 mA

動作温度

-40 to 85 °C

 保存温度

-40 to 125 °C

注記特に記載のない場合、すべての測定は周囲温度 25 ℃ で実施しています。

    感度はピーク波長で指定。

   NEP は光起電力モードで指定。

 

感度スペクトル

t1.png


暗電流


t2.png


これは暗電流のサンプル曲線です。実際の性能はフォトダイオードごとに異なります。最大逆バイアス電圧 1 V を超えないでください。

寸法

t3.png

応用 / 用途

·  光パワーメータ

·  LED/LD の特性評価およびバーンイン診断

·  分光分析

·  LED/LD 特性評価

·  アイセーフレーザー検出センサー


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