ゲルマニウムフォトダイオードは、特にコスト重視の用途や大面積検出器が必要な場合に、近赤外(NIR)領域の光パワー測定によく用いられます。しかし、ゲルマニウム検出器は同等サイズのInGaAs検出器に比べてシャント抵抗が低く、暗電流が高いため、全体的なノイズレベルが高くなります。そのため、検出信号がノイズフロアより十分に高い用途に適しています。GPD Optoelectronicsは、通常より高いシャント抵抗を持ち、性能を向上させた「HSシリーズ」のゲルマニウムフォトダイオードを提供しています。
| ネーム | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· チップ径:1 mm~25 mm
· スペクトル応答:800 nm~1800 nm
· 高い直線性:>10 dBm
· 複数のウィンドウおよびレンズオプション
· 光学フィルタ対応(ニュートラルデンシティ、バンドパスなど)
· サーモエレクトリック冷却オプション
· 幅広いパッケージ種類:TOパッケージ、BNCオプション、セラミックサブマウント 上のチップなど
仕様 | |
センサ材料 | Ge |
波長範囲 | 800 - 1800 nm |
ピーク波長 | 1550 nm (Typ.) |
感度 | 0.95 A/W (Typ.) |
アクティブエリア | 100 mm2 (10 mm x 10 mm) |
立ち上がり/立ち下がり時間(負荷抵抗 RL = 50 Ω、1 V) | 10 µs (Typ.) |
ノイズ等価光パワー(NEP、1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗電流(0.3 V) | 50 µA (Max) |
静電容量 | 80 nF (Typ.) @ 1 V |
シャント抵抗 | 2000 Ohm (Typ.) |
パッケージ | セラミック |
最大定格 | |
最大バイアス(逆方向)電圧 | 1 V |
逆電流 | 10 mA |
動作温度 | -40 to 85 °C |
保存温度 | -40 to 125 °C |
注記:特に記載のない場合、すべての測定は周囲温度 25 ℃ で実施しています。
感度はピーク波長で指定。
NEP は光起電力モードで指定。
感度スペクトル

暗電流

これは暗電流のサンプル曲線です。実際の性能はフォトダイオードごとに異なります。最大逆バイアス電圧 1 V を超えないでください。

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