キャリア上実装型半導体光増幅器チップ     


Cバンド SOA チップ、2500 µm、リッジ導波路構造




製品 モデル


名称 モデル 価額
Uバンド 半導体光増幅器(SOA)チップ/キャリア実装   [PDF]  [RFQ]

SOA1650COC
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Lバンド 半導体光増幅器(SOA)チップ/キャリア実装   [PDF]  [RFQ]

SOA1600COC
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Cバンド 半導体光増幅器(SOA)チップ/キャリア実装   [PDF]  [RFQ]

SOA1550COC
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パラメータ


特長

· キャリア上チップ実装

· 高利得・高飽和出力

· 高速パルス変調

· 偏波依存


電気・光学特性(E/O特性)

パラメータ

条件

最小値

典型値

最大値

単位

 

動作波長

C バンド

1525


1572

nm

Lバンド

1572


1622

nm

Uバンド

1622


1672

nm

小信号利得

If=500mA,   Pin=-15dBm Top=30 oC,

30



dB

波長依存利得

If=500mA,   Pin=0dBm, Top=30 oC



1

dB

 最大出力光パワー

Pin=0dBm,   If=500mA, Top=30oC,積分光パワー

19



dBm

 飽和出力光パワー

3dB down,   If=800mA


16


dBm

 雑音指数(ノイズフィギュア)

If=300mA,   Pin=-10dBm Top=30 oC, TE


4.5

6

dB

  立上り/立下り時間

10%~90%



1

ns

  順方向電圧

If=IOP


1.5

1.8

V

 直列抵抗

スロープ効率50 mA / 100 mA



9

Ohms

 入力光 NA(数値開口)



23


Deg.

チップ出射ビーム径



4.5

5

um

X 方向光発散角

FWHM, If=IOP


23

30

Deg.

  Y 方向光発散角

FWHM, If=IOP


23

30

Deg.


パッケージサイズ


p1.png



パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

順方向電流(LD)

If

-

-

1000

mA

逆方向電圧(LD)

Vr

-

-

2

V

動作温度

Top

-10

-

80

保管温度

Tstg

-40

-

85

保管相対湿度

RH

-


85

%

ESD-HBM

-

500

-

-

V

 

光学動作環境

パラメータ

条件

最小値

典型値

最大値


 動作温度

Top

10

30

40

°C

パッケージ


窒素封入


保管温度


-40


85

°C

  短期保管湿度




50

%

長期保管条件


窒素充填、または真空での保管を推奨します。




応用 / 用途

·  航空宇宙機器

·  構成可能なアド/ドロップ(Add/Drop)

·  システム監視

·  センサシステム


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