高速フォトディテクタモジュールは、データ通信および電気通信における次世代光通信リンクの開発において注目されています。これらの研究開発向けリンクは常にシンボルレートの面で先を行くため、受信側には最先端を超えるRF帯域幅を持つフォトディテクタモジュールが必要です。さらに、フォトディテクタモジュールの高速性能により、マイクロ波フォトニクスへの応用も可能です。モジュール内のフォトディテクタチップは成熟したInP技術に基づいており、Telcordia認証および宇宙用途対応プロセスに対応したウェハプロセスラインで製造されています。チップのパッケージングはFraunhofer HHI施設で行われています。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 最大100 GHzの3 dB帯域幅
· 128 GBaud振幅変調信号の検出
· OバンドおよびC+Lバンドでの動作
· 統合型バイアスネットワーク
· 低バイアス動作
試験条件:25 °C、特に指定がない場合
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
動作温度 | TO | 0 | 75 | ℃ | ||
保存温度 | Ts | -40 | 85 | ℃ | ||
動作波長 | λ | 1550 | nm | |||
バイアス電圧 | Vb | 3 | V | |||
有効面積直径 | Ф | 14 | μm | |||
飽和光出力 | Ps | λ = 1550 nm, Vb= 5 V | 40 | dBm | ||
応答度 | R | λ= 1550 nm, Vb= 5 V | 0.65 | A/W | ||
暗電流 | Id | Vb= 5 V | 10 | nA | ||
3dB 帯域幅 | BW | Ps,o = 5 mW, Vb= 5 V | 70 | GHz | ||
帯域幅および応答度測定

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