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  • 850～910nm 56Gbaud 1×4 アレイPINフォトダイオードチップ

    • 850～910nm 56Gbaud 1×4 アレイPINフォトダイオードチップ     


    LP-PD4x5032は、LD-PD PTE. LTD.によって設計された高性能850～910nm 56Gbaud 1×4アレイPINフォトダイオード（PD）チップです。
    本製品は次世代光通信向けに開発されており、PAM4高速データ伝送アプリケーション向けに最適化されています。



    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    850～910nm 56Gbaud 1×4 アレイPINフォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

    LP-PD4x5032
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    パラメータ


    特長

    ·  最大34 GHz / channel の帯域幅

    ·  850～910nm対応の反射防止（AR）コーティング

    ·  250 μm ダイオードピッチ

    ·  φ32 μm の受光径

    ·  低容量

    ·  GSG電極構造


    仕様

      パラメータ

    記号

    最小値

    代表値

    最大値

    単位

    条件

     応答波長範囲

    λ

    840

    850

    910

    nm


      受光感度）

     

    R


    0.55


    A/W

    λ=850nm


    0.65


    A/W

    λ=910nm

     暗電流

    ID


    0.3

    1.0

    nA

    VR=-5V

      容量

    C


    0.12

    0.15

    pF

    VR=-2V, f= 1MHz

     帯域幅

    Bw


    34.0


    GHz

    VR=-2V 3dB down, RL=50Ω

    Note:（Tc = 25℃、シングルダイ）


    絶対最大定格

    パラメータ

    記号

    値

    単位

    逆電圧

    VRmax

    20

    V

    動作温度

    Topr

    -40 to +85

    ℃

    保存温度

    Tstg

    -55 to +125

    ℃


    寸法

    寸法図（µm）

    850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PIN PD Chip2.png


    寸法パラメータ

    パラメータ

    記号

    値

    単位

    受光径

    D

    32

    µm

    ボンディングパッドサイズ

    -

    60 x 70

    µm

      チップサイズ

    -

    1000 x 250

    µm

    ダイオードピッチ

    -

    250

    um

    チップ厚さ

    t

    150 ± 10%

    µm


    使用上の注意
    本チップは静電気放電（ESD）による損傷を受けやすいため、InGaAsまたはGaAs PIN/APDチップの取り扱いおよび試験時には、アースストラップ、静電防止マット、その他標準的なESD保護装置を使用してください。


    応用 / 用途

    ● 400Gbps PAM4

    ● 200Gbps SFP+

    ● 4x100Gb ps QSFP




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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2026 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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