InGaAs 増幅型フォトディテクタ 800〜1700 nm（5 MHz）

概要
特長
仕様
外形図およびダイ寸法
応用 / 用途

PDA-M-20A6B4G-InGaAsフォトディテクタは、定格帯域幅・固定ゲインのフォトディテクタで、光信号の検出に使用されます。光信号は光電センサー面から入力され、出力はBNC端子を介して電圧信号として得られます。本製品は、波長範囲800nm～1700nmの光信号を測定することが可能です。具体的な性能パラメータは付録の表をご参照ください。

LD-PDフォトディテクタのハウジングには1/4"-20インチねじ穴があり、容易に取り付け・固定が可能です。また、ハウジングには2種類のねじアダプタが付属しており、産業用および科学研究用途に対応可能です。外部光学部品（フィルタ、アッテネータ、レンズ、FCファイバーアダプタなど）への接続も簡単に行えます。本製品にはプラスチック製防塵カバーが付属しています。具体的な取り付け方法は第3章をご参照ください。

各フォトディテクタには、出力9VのリニアDC電源が付属しており、このDC電源の定格入力電圧は220VAC/50Hzです。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
140MHz InGaAs 増幅型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	PDA10A8B4G-NIR	スペクトル応答：800–1700nm、帯域幅：140MHz、有効直径：1mm、立ち上がり時間：2.5ns、材質：InGaAs	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 140MHz リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
25MHz InGaAs 増幅型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	PDA05A7B4G-NIR	スペクトル応答：800–1700nm、帯域幅：25MHz、有効直径：0.5mm、立ち上がり時間：14ns、材質：InGaAs	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 25MHz リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
12MHz InGaAs 増幅型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	PDA10A7B4G-NIR	スペクトル応答：800–1700nm、帯域幅：12MHz、有効直径：1mm、立ち上がり時間：29ns、材質：InGaAs	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 12MHz リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
5MHz InGaAs 増幅型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	PDA20A6B4G-NIR	スペクトル応答：800–1700nm、帯域幅：5MHz、有効直径：2mm、立ち上がり時間：70ns、材質：InGaAs	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 5MHz リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
２MHz InGaAs アンプ内蔵型フォトディテクタ [PDF] [RFQ]	PDA30A6B4G-NIR	スペクトル応答: 800–1700 nm、帯域幅: 2 MHz、有効径: 3 mm、立ち上がり時間: 175 ns、材料: InGaAs（インジウムガリウムヒ素）	応答波長: 800-1700nm 帯域幅: 2MHz リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

一般仕様

· スペクトル応答：800 ～ 1700 nm

· 材質：InGaAs

· 帯域幅：5 MHz

製品特性

· 低ノイズ：±1 mV 以下

· オーバーシュート小：オーバーシュート電圧 2.5% 未満

· ゲイン安定性：ゲイン誤差 1% 未満

· 暗バイアス電圧出力ノイズ：1 mV 以下（RMS）

仕様

PN#		PDA10A8B4G-NIR	PDA05A7B4G-NIR	PDA10A7B4G-NIR	PDA20A6B4G-NIR	PDA30A6B4G-NIR
波長		800 - 1700 nm	800 - 1700 nm	800 - 1700 nm	800 - 1700 nm	800 - 1700 nm
線幅		DC - 140MHz	DC - 25MHz	DC - 12MHz	DC - 5MHz	DC - 2MHz
立ち上がり時間		2.5 nS	14 nS	29 nS	70 nS	175 nS
ゲイン	Hi-Z load	1*10⁴ V/A	1.2*10⁴ V/A	1*10⁴ V/A	1*10⁴V/A	1*10⁴ V/A
ゲイン	50Ω load	5*10³ V/A	6*10³V/A	5*10³ V/A	5*10³ V/A	5*10³ V/A
出力ノイズ(RMS)		760µV .typ	1mV .typ	800µV .typ	1.3mV .typ	800µV .typ
NEP		4.8*10^-12 W/√HZ	1.9*10-11 W/√HZ	2.6*10^-11 W/√HZ	6.5*10^-11 W/√HZ	6.3*10^-11 W/√HZ
有効直径		ф1 mm	ф0.5 mm	ф1 mm	ф2 mm	ф3 mm
動作温度		10-50℃	10-50℃	10-50℃	10-50℃	10-50℃
電源電圧		±9V	±9V	±9V	±9V	±9V