SOA(半導体光増幅器)は、光を増幅する半導体素子です。半導体レーザーの両端面には反射防止処理が施され、共振器構造が除去されています。外部から入射した光は、誘導放出によって増幅されます。SOAは光信号の増幅に使用されます。
データセンター間通信に用いられる光トランシーバーモジュールにはSOAが組み込まれ、Ethernet通信で使用される1.3 µm帯の光信号を増幅し、伝送損失を補償します。
LD-PDは、15 dB以上の高い光利得と7 dB以下の低雑音指数を有するSOAモジュールを提供しています。また、偏波依存利得も1.5 dB以下であり、実用上問題のない信号増幅が可能です。
| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 広い光学帯域幅
· 高出力
· 低偏波感度
· MQW またはバルク構造
電気/光学特性(チップ裏面温度 Tsub=25°C、特に記載のない限り CW バイアス)
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値. | 最大値. | 単位 |
ビーム角 | Ang | IF=120mA, Tc=25°C & Tc=40°C | — | 26.5 | — | ° |
中心波長 | λ C | IF=120mA, Tc=25°C | — | 1280 | — | nm |
IF=120mA, Tc=40°C | — | 1290 | — | nm | ||
動作電流 | Iop | Tc=25C & Tc=40°C | 100 | 120 | 150 | mA |
順方向電圧 | Vf | IF=120mA, Tc=25C & Tc=40°C | — | 1.2 | 1.8 | V |
ASEスペクトル帯域幅 | BW | IF=120mA, Tc=25C @-3dB | 40 | — | — | nm |
IF=120mA, Tc=40C @-3dB | 40 | — | — | |||
利得 | G | IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C | 16 | 18 | — | dB |
IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=40°C | 15 | 16 | — | |||
雑音指数 | NF | IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C | — | 7.5 | — | dB |
IF=120mA, λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C | — | 7.5 | — | |||
ASEリップル | R | IF=120mA, Tc=25C & Tc=40°C | — | 0.1 | 0.2 | dB |
偏波依存利得 | PDG | IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25C & Tc=40°C | — | 1.5 | — | dB |
飽和出力 | SOP | IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=25°C | 7 | 9 | — | dBm |
IF=120mA,λin=1310 nm, Pin=-25 dBm, Tc=40°C | 7 | 8 | — | dBm |
特性プロット:
ASEスペクトル:中心波長 ≒ 1290 nm、 ASEリップル:< 0.1 dB、ASE帯域幅:44 nm、測定条件:40 ℃、CW動作


PIVカーブ

典型特性

パッケージサイズおよび遠方場発散角

項目 | 25℃ | 40℃ |
ファスト軸 | 31.43 deg | 31.24deg |
スロー軸 | 23.24 deg | 22.37deg |
推奨構成

● ブースターアンプ
●通信・データ通信(Telecom & Datacom)
●損失補償
PL-SOA-B-2-1310-BC