| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 上面照射型平面フォトダイオード(PD)
· 狭い素子間隔
· 低クロストーク、高信頼性
· 各象限の応答均一性に優れる
Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | ||
感度スペクトル | λ | V=39.5V | 1000~1700 | ㎚ | ||||
有効受光面径 | φ | - | 1 | mm | ||||
素子間隔 | d | 100 | um | |||||
最大乗算ゲイン | M | 20 | ||||||
感度 | Re | λ=1.55µm,M=10,Pin =10µw | 9 | 9.5 | A/W | |||
逆耐圧 | VBR | IR =100µA | 40 | 60 | Ⅴ | |||
応答時間 | Rt | f=1MHZ,RL=50Ω | 1.5 | 3.0 | ns | |||
動作電圧温度係数 | Tc | Tc=-40--+85℃ | 0.1 | 0.15 | V/℃ | |||
暗電流 | ID | M=10 | 25 | 100 | nA | |||
総静電容量 | C | f=1MHZ,M=10 | 10 | 15 | nF | |||
クロストーク | SL | M=10 | 10 | % | ||||
注意: この検出器は動作中に電圧と温度のフィードバック制御が必要です。
典型特性曲線
受光感度(R)[A/W]

Wavelength, λ (nm)
四象限 APD 電流-電圧特性曲線

応用回路

Unit:mm

1 | GND | 3 | 第2象限 P極 | 5 | 第3象限 P極 |
2 | 第1象限 P極 | 4 | 共通 N極 | 6 | 第4象限 P極 |
絶対最大定格
動作電圧 | 0.99X VBR | 動作温度 | -50~+85℃ | 消費電力 | 100mW |
順方向電流 | 10mA | 保存温度 | -55~+125℃ | はんだ付け温度 | 260℃(10s) |
· レーザー誘導
· レーザー位置決め
· レーザー航法
· レーザー測距
PL-□□□□-☆-QD▽-XXX
□□□□:カットオフ波長
400: 400nm
900: 900nm
1700: 1700nm
2100: 2100nm
2400: 2400nm
2700: 2700nm
☆: 材料
IGA: InGaAs
SiA: Si
▽:受光部面積(単一素子)
1: 1mm
2: 2mm
….
3: 3mm
XXX: パッケージ / 光ファイバおよびコネクタ形式
TO: TO39 Package
FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC
FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC
FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC
FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC
ユーザー安全
安全および動作上の注意事項
本デバイスは逆バイアス電圧で動作します。端子の極性を逆に接続しないでください。
フォトダイオードを最大定格外で使用すると、デバイス故障や安全上の危険を引き起こす可能性があります。
この部品に使用する電源は、最大ピーク光出力を超えてはいけません。
ESD 保護 — 静電気放電(ESD)は、レーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。
フォトダイオードを取り扱う際は、リストストラップや接地された作業台、厳格な静電気防止対策を徹底してください。