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    本レーザは、1625 nm、1648.2 nm、1650.9 nm、または 1653.7 nm の波長帯で動作する InGaAsP 半導体 DFB レーザです。 デバイスは チップ形態での提供が可能です。 高性能かつ高信頼性を特長とし、ガス検知用途に適しています。


    中心波長:

    出力パワー:

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    10種類以上の先進光学ソリューション提供
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