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  • 760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TEC無し

    • 760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TEC無し     


    PL-VCSEL-0760-0-A82 760nm VCSELは、垂直発光型のMOVPE成長GaAsP/AlGaAs単一モードダイオードレーザーです。チップはTO46パッケージに搭載されています。波長のチューニングはレーザー電流および温度調整で可能です。TECおよびフォトダイオード内蔵パッケージです。TDLAS用途向けに特別設計されています。狭い線幅により、TECなしで酸素測定用アナライザーに適した低コストの選択肢となります。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    763nm SM VCSEL レーザー TEC無し   [PDF]  [RFQ]

    PL-VCSEL-0763-0-A82-TO46
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    760nm SM VCSEL レーザー TEC無し   [PDF]  [RFQ]

    PL-VCSEL-0760-0-A82-TO46
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    パラメータ


    特長

    ·  100 MHz スペクトル帯域幅

    ·  波長チューニング可能

    ·  ARコーティング付きTO-46ウィンドウ

    ·  O₂センシング向けに最適化


    レーザー仕様

    測定条件： TOP = 20 °C、IOP = 2.0 mA（TEC制御）

    パラメータ

    記号

    最小値

    典型値

    最大値

    単位

    備考

    発光波長

    λR

    高精度波長選択：下記吸収線より選択可能

    しきい値電流

    Ith


    0.5


    mA


    光出力

    Popt

    0.25

    0.5

    0.75

    mW


    しきい値電圧

    Vth


    1.8


    V


    駆動電流

    Iop



    2

    mA

    Popt = 0.3 mW

    レーザー電圧

    Vop


    2


    V

    Popt = 0.3 mW

    光変換効率

    ηWP


    12


    %

    Popt = 0.3 mW

    傾き効率

    ηs


    0.3


    W/A


    微分直列抵抗

    Rs


    250


    Ω

    Popt = 0.3 mW

    3dB帯域幅

    V3dB

    0.1



    GHz

    Popt =0.3 mW

    ESD保護用ダイオード内蔵

    相対強度雑音

    RIN


    -130

    -120

    dB/Hz

    Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

    電流による波長チューニング



    0.6


    nm/mA


    熱抵抗（VCSELチップ）

    Rthermal

    3


    5

    K/mW


    SMSR


    25



    dB

    I  = 2 mA

    ビーム発散角

    θ

    10


    25

    °

    Popt = 0.3 mW 1/e² 全幅

    スペクトル幅



    100


    MHz

    Popt = 0.3 mW


    スペクトル

    W4_FRMP[F%QS76~VX)G8E[1.jpg


    L-I特性（25℃）

    H4~TA2G{2~842EG26(LCJLK.jpg

    このVCSELダイオードの性能を保証するため、最大電流は2mA以内にすることを強く推奨します。

     

    酸素吸収線


    5afade033140b.png

    寸法およびピン定義

    寸法 単位：mm


    pr3.png

                                                

    ピン番号

    説明

    1

    LD-

    2

    LD+

     

    絶対最大定格

     項目

    単位

    最小値

    典型値

    最大値

     保管温度

      ℃

    -40

    25

    125

      チップ温度

    ℃

    +10

    25

    40

     動作電流

    mA

    0

    2

    2.5

    順方向電圧

    V

    0.8

    1.2

    1.8

     はんだ付け温度*

    ℃

    100

    130

    270

      電力消費

    mw

    -

    -

    5



    応用 / 用途

    ·  TDLASによるO₂センシング

    ·  フーリエ変換赤外分光（FTIR）


    注文情報

    PL-VCSEL-□□□□-☆-A8▽-TO46

    □□□□: 波長

    0760: 760nm

    *****

    1653.7: 1653.7nm

    ☆ : TEC

    0: TECなし

    1: TEC付き

    ▽: 波長許容範囲

    1: ±0.5nm

    2: ±1.5nm

     




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