発光波長

λR

852nm

 しきい値電流

ITH

0.5

mA

出力光パワー

Popt

0.25

mW

 しきい値電圧

UTH

1.8

V

 駆動電流

IOP

2

mA

Popt = 0.3 mW

 レーザー電圧

UOP

2

V

Popt = 0.3 mW

光電変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.3 mW

傾き効率

ηS

0.3

W/A

 微分直列抵抗

RS

250

Ω

Popt = 0.3 mW

 3dB帯域幅

ν3dB

0.10

GHz

Popt = 0.3 mW

静電気放電（ESD）保護のためのダイオード

相対強度雑音（RIN）

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1     GHz

 電流による波長変化

0.6

nm/mA

 温度による波長変化

0.06

nm/K

熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

SMSR

25

dB

I  = 2 mA

ビーム発散角

θ

10

25

°

Popt = 0.3 mW, full   width 1/e2

 スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.3 mW

TEC電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

適切なヒートシンクの設置が必要

 NTCサーミスタ抵抗

KΩ

9.5

10.0

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTCサーミスタ抵抗

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

2

サーミスタ+

5

レーザーアノード (+)

3

NTC   サーミスタr+10kΩ at 25°C

 チップ温度

TOP

  ℃

+10

25

40

 順方向電圧

VR

V

0.8

1.2

1.8

 電力消費

Pc

mw

-

5

 TEC順方向電流

IPF

mA

-150

-

+300

 リードはんだ付け時間

S

-

10s

260℃

  保管温度

TSTG

℃

-40

-

+85

2000hr

 動作温度

TOP

℃

-55

-

+125