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  • キャリア上実装型 905nm 200mW ゲインチップ

    • キャリア上実装型 905nm 200mW ゲインチップ     


    ゲインチップは、可変波長ダイオードレーザや高安定外部共振器型ダイオードレーザ を構築するための重要なコンポーネントです。
    標準的なレーザダイオードチップとは異なり、ゲインチップは 片面または両面に深い反射防止（AR）コーティング が施されており、自己発振閾値の大幅な向上 や 自己発振の防止 を可能にします。

    一般的な外部共振器型ダイオードレーザの構成には Littrow 型 や Littman/Metcalf 型 があり、回折格子を用いて目的波長の光を入射方向に反射させます。波長のチューニングは 格子の回転によって実現 されます。
    共振器内のレンズで拡張されたビームを格子に集光し、零次光 をレーザ出力として使用するのが一般的です。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    ゲインチップ 200 mW（905 nm 搭載キャリア上））   [PDF]  [RFQ]

    HP-GC-905-1-COS
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    パラメータ


    特長

    ·  外部共振器での波長ロック動作に最適化

    ·  幅広いホッピングフリーのチューニング範囲

    ·  高い単一波長分離比（SMSR）

    ·  最大動作電流まで自己発振なし

    ·  TE 偏光


    仕様

    推奨動作点

    パラメータ

    値

    単位

      電流

    400

    mA

     順方向電圧

    1.8

    V

    ヒートシンク温度

    25

    ℃

     

    連続波（CW）動作時の期待チューナビリティパラメータ


    推奨動作点、外部共振器：Littman 構成、フィードバック：200%

    パラメータ

    値

    単位

     最大出力波長（λₘₚ）

    920

    nm

      λₘₚ における光出力

    200

    mW

     チューニング範囲の中心波長

    905

    nm

     波長ロック範囲

    90

    nm

     パラメータ

    値

    単位

     チップ共振器長

    1.5

    mm

      前面ファセット反射率（AR コート済み）

    <0.001

    %

     背面ファセット反射率（HR コート済み）

    99

    %

     

    絶対最大定格

    パラメータ

    最小値

    最大値

    単位

     逆方向電圧


    1

    V

     順方向電流


    600

    mA

     保存温度範囲（元の密封パッケージ内）

    5

    50

    ℃

      動作温度範囲

    20

    40

    ℃

    典型性能（外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C）


    L-Iカーブ


    GP2.png

    ASEスペクトル


    GP3.png


    典型性能（外部共振器なし、CW、ヒートシンク温度 25°C、Littman 構成、20% フィードバック、Thorlabs GR-25-1208 グレーティング）出力光パワー：920 nm における値


    GP4.png

    光スペクトル（150 mA、分解能 0.025 nm）


    GP5.png

    寸法

    GP6.png

    応用 / 用途

    ● 外部共振器型ダイオードレーザ

    ● 可変波長レーザ光源




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