15mm大面積InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ     


LD-PDのInGaAs PIN構造フォトダイオードは、MOCVD法によりInP基板上に成長され、プレーナ拡散技術を用いて製造されています。
TOパッケージのフォトダイオードシリーズは、有効受光径としてφ5 mm、φ10 mm、φ15 mmをそれぞれラインアップしています。
また、ユーザーのご要望に応じて、受光径、形状、パッケージ形態のカスタマイズにも対応可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
15mm 大面積 InGaAs/InP PIN フォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

LP-PD-D15
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パラメータ


特長

·  有効径 15 mm

·  高応答度

·  低容量

·  低暗電流

·  高シャント抵抗


仕様

パラメータ(Tc=25℃)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

試験条件

 応答波長範囲

λ

900


1650

nm


応答度

  

R

0.85

0.9


A/W

λ = 1310 nm


0.95


λ = 1550 nm


0.2


λ = 850 nm

暗電流

I_D

40


150

nA

V_R = -2 V

静電容量

C


60


nF

V_R = -2 V, f = 1 MHz

 

絶対最大定格

パラメータ

記号

単位

 逆電圧

VRmax

5

V

 順電流

10

mA

 動作温度

Topr

-40 to +85

保存温度

Tstg

-55 to +125


寸法

寸法図(単位:mm)


15.png


寸法パラメータ

 

パラメータ

記号

単位

 有効面積径

D

15

mm

 ボンドパッド径

200

µm

 ダイサイズ(チップ寸法)

15.3 × 15.3

mm

 ダイ厚さ(チップ厚さ

t

180 ± 20

µm

 

使用上の注意

本チップは静電気(ESD)によって損傷を受けやすいため、InGaAsまたはGaAsのPIN/APDチップを取り扱う際や試験を行う際には、接地ストラップ、静電マット、その他の標準的なESD保護装置の使用が必須です。


応用 / 用途

·  モニタリング

·  光ファイバー計測機器

·  データ通信


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