発光波長

λR

850nm

しきい値電流

Ith

1

mA

光出力

Popt

0.5

1

mW

しきい値電圧

Vth

1.8

V

駆動電流

Iop

3

mA

Popt = 0.5 mW

レーザー電圧

Vop

3

V

Popt = 0.5 mW

光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.5 mW

傾き効率

ηs

0.3

W/A

立上り時間／立下り時間

Tr /Tf

90/120

Psec

微分直列抵抗

Rs

100

200

Ω

Popt = 0.5 mW

3dB帯域幅

V3dB

0.1

2.5

GHz

Popt =0.3 mW

ESD保護用ダイオード内蔵

相対強度雑音

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

電流による波長チューニング

0.6

nm/mA

温度変化による波長チューニング

0.06

nm/K

熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

SMSR

35

dB

I  = 2 mA

ビーム発散角

θ

10

25

°

Popt = 0.5 mW 1/e² 全幅

スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.5 mW

TEC電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

適切な放熱器（ヒートシンク）必要

NTC熱抵抗

KΩ

9.5

10

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC熱抵抗

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

1

TEC ( - )

5

TEC  ( + )

2

サーミスタ ( + )

6

サーミスタ

3

NA

7

NA

4

VCSEL   カソード

8

VCSEL アノード

保存温度

  ℃

-40

25

125

 チップ温度

℃

+10

25

40

 動作電流

mA

0

3.0

5.0

順方向電圧

V

0.8

3.0

4.8

 TEC 電流

mA

-150

-

+300

はんだ付け温度*

℃

100

130

260

 電力消費 / 消散

mw

-

-

5