最大 85 GHz 対応 バランス型 InGaAs フォトダイオード     


BPD85は「プッシュプル」構成のInGaAsフォトダイオードであり、各フォトダイオードは最大+14 dBmの高光入力パワーに対応可能です。

高いコモンモード除去比(CMRR)と低い偏光依存損失(PDLを備えており、デジタルおよびアナログ用途の両方に最適です。

また、広帯域の波長応答により、マルチ波長での使用が可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
85 GHz 対応 バランス型 InGaAs フォトダイオード     [PDF]  [RFQ]

BPD-85G-A
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パラメータ


特長

● 極低PDL(代表値0.05 dB)
● 正規化CMRRは30 dB以上
● 使用可能スペクトル範囲:800~1650 nm
● RINおよびASEノイズのDC成分をキャンセルし感度を向上
● 高光パワー対応InGaAs PINフォトダイオード
● 小型ファイバピグテールパッケージ
● 高光パワー環境下でも高い信頼性を実現
● 1デバイスで複数波長に対応し、運用・在庫コストを削減
● 高直線性オプションではOIP3が+40 dBm超を実現

仕様

特に記載がない限り、すべての試験は25°Cで実施されます。

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

動作温度

T0


0


75

保存温度

Ts


-40


85

 動作波長

λ



1550


nm

 バイアス電圧

Vb


3

5


V

  受光面径

Ф



20


μm

 飽和光パワー

Ps

λ = 1550 nm, Vb = 5 V

9

10


dBm

 応答度

R

λ = 1550 nm, Vb = 5 V


0.45


A/W

 応答度不均衡

Imb



1.50%



  暗電流

Id

Vb = 5 V


5

100

nA

 3 dB帯域幅

BW

Ps,o = 0 dBm, Vb = 5 V

25

26


GHz

コモンモード除去比(CMRR)

CMRR

Ps,o = 0 dBm, Vb = 5 V

18

20


dB

 

絶対最大定格(T = 51°C、IF = 2.5 mA)

パラメータ

記号

単位

典型値

光パワー

Ps

13

dBm

順方向電圧

Vr

10

V

 動作温度

Top

-40 ~ +70

°C

 保存温度

Tstg

-40 ~ +85

°C

 はんだ付け温度

Tp

260 (10s)

°C

 最小ファイバ曲げ半径

Rfiber

20

mm

 

レスポンシビティカーブ


85GHZ.png

CMRR値

85GHZ.1.png


S21特性曲線

85GHZ.2.png

寸法

1762999596164090.png

unit mm

カスタムサイズおよびピン配置はご要望に応じて対応可能であり、最小サイズは16 × 16 × 8 mm(ピグテール、ピン、および実装詳細を含む)です。

応用 / 用途

● DPSK/DQPSK:差動位相/偏波シフトキーイング、差動直交位相シフトキーイング
● 高ダイナミックレンジ光ファイバアナログRFリンク
● 高速ドップラーシフトLiDAR測定
● コヒーレント光波システム
● ブリルアン散乱 - OTDR
● 試験・計測用途

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