Si APD 検出器モジュール     


Siアバランシェフォトディテクタモジュールは、低雑音APD、低雑音広帯域トランスインピーダンスアンプ(TIA)、超低雑音絶縁電源、高電圧電源、およびAPD温度補償機能を統合しています。

絶縁電源により、出力信号は外部電源の影響を受けにくく、APD温度補償により検出モジュールの安定性が向上します。

本アバランシェフォトディテクタは、高利得、高感度、広帯域、低雑音を特長としています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
2G Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-2G-C
[お問い合わせください]
1G Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-1G-C
[お問い合わせください]
500M Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-500M-C
[お問い合わせください]
400M Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-400M-C
[お問い合わせください]
300M Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-300M-C
[お問い合わせください]
200M Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-200M-C
[お問い合わせください]
100M Si APD 検出器モジュール   [PDF]  [RFQ]

APD-100M-C
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

● 低雑音
● 高利得
● 高電圧電源内蔵
● APD温度補償機能
● コンパクト設計
● 低雑音絶縁電源内蔵

仕様

製品型番

APD-100M-C

APD-200M-C

APD-300M-C

APD-400M-C

APD-500M-C

APD-1G-C

APD-2G-C

単位

検出器タイプ

Si


波長

4001100

nm

帯域幅

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

受光感度

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

0.55

A/W@850nm

トランスインピーダンスゲイン

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

出力インピーダンス

50

50

50

50

50

50

50

Ω

飽和光入力

13

13

13

13

13

13

30

uW

雑音等価電力(NEP)

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/√(Hz)

出力結合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


電源電圧

5

5

5

5

5

12

12

V

電源電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光入力

FC/APC(フリースペース オプション)


RF出力

SMA


外形寸法

65*50*25

mm


応用 / 用途

● 光ファイバーセンシング
● 光ファイバー通信
● レーザー測距
● 分光分析
● ナノ秒レベルの光パルス検出


本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示