110 GHz 薄膜リチウムニオベート 超高帯域光強度変調器     


本製品は、当社が独自に開発した高性能光電変換デバイスで、完全自社知的財産権を保有しています。高精度な光結合・組立技術によりパッケージングされており、光電3 dB帯域幅は最大110 GHzを実現しています。

従来のバルク型リチウムニオベート結晶変調器と比較して、本製品は低半波電圧(Vπ)、高い安定性、コンパクトなデバイスサイズ、熱光バイアス制御機能を備えています。

デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、バックボーン通信網、通信関連研究プロジェクトなど、幅広い分野での応用が可能です。




製品 モデル


ネーム モデル 価額
110 GHz Cバンド 薄膜リチウムニオベート 強度変調器   [PDF]  [RFQ]

BC6PPBM71
(Stock NO. Not entered)
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パラメータ


特長

·  RF帯域幅:最大 110 GHz

·  低半波電圧(Low Vπ)

·  低挿入損失:最小 5 dB

·  コンパクトなデバイスサイズ


仕様

製品パラメータ:Cバンド

カテゴリー

パラメータ

記号

単位

仕様値

光学特性(25℃時)

 

動作波長 (*)

λ

nm

~1550

光学消光比(直流時)(**)

ER

dB

≥20

光学反射損失

ORL

dB

≤-27

光学挿入損失

IL

dB

最大値:6

典型値:5

電気特性(25℃時)

 

3 dB 光電帯域幅(2 GHzから)

S21

GHz

最小値:100

典型値:105

RF 半波電圧(50 kHz時)

V

≤4

熱バイアス半波電力

mW

≤50

RF 反射損失

S11

dB

≤-10

動作条件

動作温度 (*)

TO

°C

-20~70

*カスタマイズ可能

** 高消光比(> 25 dB)も対応可能

 

耐損傷強度

装置が最大損傷閾値を超えて動作した場合、装置に回復不能な損傷を与える可能性があります。

パラメータ

記号

最小値

最大値

単位

  RF入力電力

Sin

-

18

dBm

RF入力スイング電圧

Vpp

-2.5

+2.5

V

RF入力RMS電圧

Vrms

-

1.78

V

 光入力電力

Pin

-

20

dBm

 熱バイアス電圧

Uheater

-

4.5

V

  熱バイアス電流

Iheater

-

50

mA

 保存温度

TS

-40

85

 相対湿度(結露なきこと)

RH

5

90

%

 

S21テストサンプル画像(110 GHz典型値)

Thin Film Lithium53.png

Figure 1: S21 

Thin Film Lithium54.png

Figure 1: S11


静電気放電(ESD)保護

本製品には静電気に敏感な部品(MPD)が含まれています。使用時には必要なESD保護対策を行ってください。

 


Thin Film Lithium55.png

寸法およびピン定義

パッケージ寸法およびピン定義(単位:mm)


Thin Film Lithium51.png注記:特に指定がない場合の公差:±0.15 mm

   REF寸法は一括測定の対象ではありません


ピン

記号

説明

1

-

N.C.(未接続)

2

-

 N.C.(未接続)

3

ヒーター

 サーモオプティックバイアス電極

4

ヒーター

サーモオプティックバイアス電極

5

 MPD0+

モニタPDアノード(モジュレータ出力)

6

 MPD0-

モニタPDカソード(モジュレータ出力)

RF

 RFコネクタ

  1.0 mm K コネクタ

In

 入力ファイバ

 FC/APC、偏波保持ファイバ

Out

 出力ファイバ

 FC/APC、偏波保持ファイバ


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