本製品は、当社が独自に開発した高性能光電変換デバイスで、完全自社知的財産権を保有しています。高精度な光結合・組立技術によりパッケージングされており、光電3 dB帯域幅は最大110 GHzを実現しています。
従来のバルク型リチウムニオベート結晶変調器と比較して、本製品は低半波電圧(Vπ)、高い安定性、コンパクトなデバイスサイズ、熱光バイアス制御機能を備えています。
デジタル光通信、マイクロ波フォトニクス、バックボーン通信網、通信関連研究プロジェクトなど、幅広い分野での応用が可能です。
| ネーム | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· RF帯域幅:最大 110 GHz
· 低半波電圧(Low Vπ)
· 低挿入損失:最小 5 dB
· コンパクトなデバイスサイズ
製品パラメータ:Cバンド
カテゴリー | パラメータ | 記号 | 単位 | 仕様値 |
光学特性(25℃時)
| 動作波長 (*) | λ | nm | ~1550 |
光学消光比(直流時)(**) | ER | dB | ≥20 | |
光学反射損失 | ORL | dB | ≤-27 | |
光学挿入損失 | IL | dB | 最大値:6 典型値:5 | |
電気特性(25℃時)
| 3 dB 光電帯域幅(2 GHzから) | S21 | GHz | 最小値:100 典型値:105 |
RF 半波電圧(50 kHz時) | Vπ | V | ≤4 | |
熱バイアス半波電力 | Pπ | mW | ≤50 | |
RF 反射損失 | S11 | dB | ≤-10 | |
動作条件 | 動作温度 (*) | TO | °C | -20~70 |
*カスタマイズ可能
** 高消光比(> 25 dB)も対応可能
耐損傷強度
装置が最大損傷閾値を超えて動作した場合、装置に回復不能な損傷を与える可能性があります。
パラメータ | 記号 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
RF入力電力 | Sin | - | 18 | dBm |
RF入力スイング電圧 | Vpp | -2.5 | +2.5 | V |
RF入力RMS電圧 | Vrms | - | 1.78 | V |
光入力電力 | Pin | - | 20 | dBm |
熱バイアス電圧 | Uheater | - | 4.5 | V |
熱バイアス電流 | Iheater | - | 50 | mA |
保存温度 | TS | -40 | 85 | ℃ |
相対湿度(結露なきこと) | RH | 5 | 90 | % |
S21テストサンプル画像(110 GHz典型値)

Figure 1: S21

Figure 1: S11
静電気放電(ESD)保護
本製品には静電気に敏感な部品(MPD)が含まれています。使用時には必要なESD保護対策を行ってください。

パッケージ寸法およびピン定義(単位:mm)
注記:特に指定がない場合の公差:±0.15 mm
REF寸法は一括測定の対象ではありません
ピン | 記号 | 説明 |
1 | - | N.C.(未接続) |
2 | - | N.C.(未接続) |
3 | ヒーター | サーモオプティックバイアス電極 |
4 | ヒーター | サーモオプティックバイアス電極 |
5 | MPD0+ | モニタPDアノード(モジュレータ出力) |
6 | MPD0- | モニタPDカソード(モジュレータ出力) |
RF | RFコネクタ | 1.0 mm K コネクタ |
In | 入力ファイバ | FC/APC、偏波保持ファイバ |
Out | 出力ファイバ | FC/APC、偏波保持ファイバ |