350〜1100 nm シリコン系バイアスフォトディテクタ     


LD-PD PTE.LTD のシリコンベース バイアス付きフォトディテクタは、感度範囲 200–1100 nm を持ち、極めて低ノイズ、高速応答、ゲインなし、低コスト が特長です。
従来の光検出用途に適しており、優れた性能とコストパフォーマンスを兼ね備えています。
また、フル技術サポートを提供し、紫外線および可視光の測定で広く使用されています。




製品 モデル


ネーム モデル 価額
320~1100nm シリコン系バイアス光検出器   [PDF]  [RFQ]

PDSBC3D100
Stock NO.: A80153423
[お問い合わせください]
350~1100nm シリコン系バイアス光検出器   [PDF]  [RFQ]

PDSBC3E36
Stock NO.: A80153422
[お問い合わせください]
200~1100nm シリコン系バイアス光検出器   [PDF]  [RFQ]

PDSBC2B10
Stock NO.: A80153421
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

● 感度範囲は 200–1100 nm で、紫外線および可視光の測定に広く使用されます。

● バイアス付きフォトディテクタで、極めて低ノイズ、高速応答、ゲインなし

● 低コスト で、従来の光電検出用途に最適

● 優れた性能と高いコストパフォーマンス を持ち、フル技術サポートを提供

● 非標準カスタマイズサービスに対応可能


仕様

性能仕様

パラメータ

仕様値

波長範囲

200-1100nm

350-1100nm

320-1100nm

光電面サイズ

Φ1.0mm

Φ3.6mm

Φ10.0mm

帯域幅範囲

350MHz

25MHz

10MHz

立ち上がり時間(@50Ω)

1ns

14ns

35ns

ノイズ等価光パワー(NEP)

5.0 × 10-14W/Hz1/2

1.6 × 10-14W/Hz1/2

2.4 × 10-14W/Hz1/2

 暗電流

0.3nA(Typ.)/10 nA(Max)

0.35nA(Typ.)/6.0nA(Max)

0.9nA(Typ.)/10nA(Max)

接合部静電容量

6pF(Typ.)

40pF(Typ.)

150pF(Typ.)

バイアス電圧

10V

 出力電流

0~10mA

 出力電圧

~9V(Hi-Z);

~170mV(50Ω)

光電面深さ

0.09" (2.2mm)

0.09" (2.2mm)

0.13" (3.3mm)

 動作温度

10-40℃

保存温度

-20-70℃

検出器質量

0.10kg

低電圧指標

Vout  ≤9V(Hi-Z) Vout  ≤170mV(50Ω)

 外観サイズ

2.79" X1.96" X0.89"  (70.9mm X 49.8mm X22.5mm)

電源電池

電源スイッチ

信号インターフェース

バッテリーモニタリング

ストラットインターフェース

光学インターフェース

A23、12 V DC、40 mAh

スライドスイッチ

BNC メスコネクタ

一時押しボタン

M4 X 2

SM1 X 1

SM0.5 X 1

 

シリコン応答曲線


pj2.png


添付資料 1:オプション設定表

シリコンベース バイアス付きフォトディテクタr

選択可能構成

製品名

材料

タイプ

特長

波長範囲アクティブエリア

リザーブオプション構成

PD(フォトディテクタ)r"

S:Si(シリコンベース)

B:バイアスタイプ

C:従来型

2B10: 200-1100nm, Φ1.0mm






3E36: 350-1100nm, Φ3.6mm






3D100: 320-1100nm, Φ10.0mm





寸法

pj1.png

応用 / 用途

●紫外線および可視光測定


本ウェブサイト及びサービスを使用することで、閣下は当社によるクッキーの使用に同意したものとみなします。 クッキーにより、当社は会員サービスをより充実したものにするとともに、短期間に閣下の閲覧履歴を記録することができます。 OK 詳細はこちら
閉じる[X]
ショッピングカート
モデル 数量 価格 小計
合計金額:USD:
ショッピングカートを表示 決済
︿ TOP
提示