·  ガウス型ビームプロファイル

·  低ビーム発散

·  低スペクトル幅

測定条件：TO P = 20°C、IO P = 2.0 mA（特に記載がない限り）（TO P = チップ背面温度、TECによって制御されます）

*Zダイオード内蔵TOパッケージ用

スペクトル

L-I特性（25℃）

（Dimensions Unit in: mm）

·  高精度位置決め用光学エンコーダ

·  フーリエ変換赤外分光（FTIR）

PL-VCSEL- □□□□-☆-▽- XX

□□□□：波長

0760:760nm

0795:794.7nm

0850:850nm

*****

1653.7：1653.7nm

☆ ：TEC

0：TECなし

1：TEC付き

▽：波長許容範囲

1：±0.5nm

2：±10nm

XX: パッケージ

TO46

ユーザー安全性

安全および操作上の注意

本デバイスは逆バイアス電圧下で動作します。デバイスの極性を逆にしてはいけません。

フォトダイオードを最大定格を超えて動作させると、デバイスの故障や安全上の危険が発生する可能性があります。本コンポーネントで使用する電源は、最大ピーク光出力を超えないようにしてください。

ESD保護 — 静電気放電（ESD）は、予期せぬレーザーダイオード故障の主な原因です。ESD防止のため、極めて慎重な取り扱いが必要です。リストストラップ、接地された作業面、厳密な静電防止技術を使用してフォトダイオードを取り扱ってください。