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    • レーザー
      DBRレーザー /分散型ブラッグ反射レーザー﹥
      1530-1540nm 8nm 可変帯域幅 DBR レーザダイオード1540～1560 nm、8 nm 可変帯域 DBR レーザー1560-1570nm 波長チューニングレンジ：8-10nm1570-1580nm 波長チューニングレンジ：8-10nm
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      RFモジュール﹥
      10～20 GHz 1310/1550 nm 高速 20 GHz 超 直接変調レーザー
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      分布帰還型レーザー ﹥
      760nm DFB レーザー O2 検知用 　TO　　　パッケージ760nm DFB レーザー O2 検知用　 TO39 　パッケージ760nm DFB レーザーダイオード（O₂ 検出用）764nm DFB　波長可変レーザー777nm CPT 用 DFB レーザー780nm DFB レーザー 14ピンバタフライパッケージ795nm DFB レーザー828nm DFB レーザーシードレーザー用850nm DFB レーザーシードレーザー用852nm 低コストDFB レーザー　（常温動作）895nm DFB レーザーシードレーザー用935nm DFB レーザーシードレーザー用972.4nm DFB レーザーシードレーザー用976nm DFB レーザーシードレーザー用980nm DFB レーザーシードレーザー用986nm DFB レーザーシードレーザー用1018nm DFB レーザーシードレーザー用1028nm DFB レーザー
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      ファブリペロー型レーザー﹥
      405nm　FPレーザー405nm　FPレーザー488nm　FPレーザー520 nm FP 光ファイバー結合レーザー   SM633nm　FPレーザー655nm　FPレーザー785nm 1000mW FP光ファイバー結合レーザー785nm　高出力FPレーザー785nm FP ポンプレーザー785nmポンプレーザーFBG安定化795nm　FPレーザー808nm 高出力ポンプレーザー808nmポンプレーザーFBG安定化830m TO9 高出力レーザー(1W）830nm FP単一モードモジュールレーザー840nm FP単一モード 14-ピンバタフライモジュールレーザー850nm FP単一モード 14-ピンバタフライモジュールレーザー905nm 高出力レーザー　LiDARおよび測距用
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      発光ダイオード﹥
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      スーパーラムレーザーダイオード﹥
      650nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー670nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー780nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー780nm 超高出力スーパー蛍光LED（GaAsベース SLED）ダイオード850nm　高出力 SLDレーザー850nm スーパー蛍光LED（GaAsベース SLED）ダイオード910nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1000nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1060nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1064nm 高出力スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1200nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1240nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1280nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1290nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー1310nm　低偏光度　SLED1310nm スーパー蛍光（SLD）レーザー、8ピン、冷却型1310nm スーパー蛍光（SLD）レーザー、6ピン、冷却型1310nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
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      VCSELレーザーダイオード﹥
      760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TO39パッケー760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TEC無し794.7nm 単一モード VCSEL レーザーダイオード（Rb原子 D1ライン CPT795nm　VCSEL レーザー795nm TO46 VCSEL レーザー（TEC付き、高出力タイプ）850nm TO46 偏光保持ファイバ結合 VCSEL ダイオード（TEC付き）850nm TO46 偏光保持ファイバ結合 VCSEL ダイオード（TEC無し）850nm 単一モード VCSEL レーザー（高速通信用）850nm 単一モードファイバ結合 VCSEL レーザー（4.25 Gbps 高速通信850nm 単一モード VCSEL レーザー（TO46パッケージ、TECおよびNTC内蔵852nmVCSEL レーザー（セシウム D2 遷移線 CPT用）1310nm　単一モードVCSELレーザー（TEC内蔵）1540 / 1550 nm VCSEL レーザーピグテール付き1550nm 広帯域可変 VCSEL（面発光レーザー）TEC付き1567 / 1550 / 1653.7 nm ピグテール付き VCSEL レーザー（SM-28Eフ1403 nm MEMS VCSEL レーザーダイオード1550nm 単一モード VCSEL レーザー（4.25 Gbps 高速通信用）
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      外部共振器レーザー﹥
      633nm狭線幅レーザー633nm単一周波数・波長可変レーザー　FBG安定化638nm狭線幅レーザー660nm狭線幅レーザー660 nm 単一周波数・波長可変 狭線幅レーザー　FBG安定化685nm 単一周波数・狭線幅レーザー762nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化770nm 単一周波数・狭線幅レーザー770nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化775nm狭線幅レーザー775 nm 狭線幅レーザー（DILパッケージ）780nm 単一周波数・狭線幅レーザー780nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化785nm 単一周波数・狭線幅レーザー785nm 単一周波数FBG安定化チューナブル狭線幅レーザー795 nm 狭線幅レーザー808 nm 狭線幅レーザー820nm 狭線幅レーザー
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      半導体光増幅器﹥
      680 nm 半導体光増幅器（非線形）790nm半導体光増幅器（非線形）790 nm 高利得半導体光増幅器840nm半導体光増幅器（非線形）910nm 半導体光増幅器（非線形）1020nm 高利得半導体光増幅器1060nm 高利得半導体光増幅器1060nm 半導体光増幅器（非線形）1090nm 高利得半導体光増幅器1270nm 半導体光増幅器Oバンド半導体光増幅器（非線形）Sバンド（1450–1530 nm）半導体光増幅器、低偏光1550nm半導体光増幅器1550nm 高利得半導体光増幅器C-バンド半導体光増幅器（非線形）1600nm半導体光増幅器1650nm半導体光増幅器半導体光増幅器（SOA）モジュール
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      QCLレーザーダイオード﹥
      8500 nm 高出力 QCLレーザーDFB-QCLレーザーFP-QCL レーザーEM-QCLHyper EC-QCLSPF-QCL
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    • フォトダイオード
      InGaAsフォトダイオード﹥
      Φ75 µm InGaAsフォトダイオードΦ75 µm InGaAsフォトダイオード ピグテール付きΦ75 µm 1550 nm InGaAs マルチモードファイバ ピグテール付きフォΦ300–3000 µm 2.7 µm 拡張型 InGaAs フォトダイオードΦ300–3000 µm 900–1700 nm 2段TEC、TO-8パッケージ InGaAsフォトΦ1–3 mm 拡張型 InGaAs フォトダイオードΦ1 mm InGaAs 4分割 PIN検出器Φ1 mm 800–3600 nm 低ノイズ・高信頼性赤外線検出器Φ1.5 mm InGaAs 4分割 PIN検出器Φ5 mm 大面積 InGaAsフォトダイオード1280 × 1024 InGaAsパネル検出器 ピクセルサイズ15 µmΦ10 mm InGaAs 超大面積PIN検出器1 mm 900–2700 nm 2段TEC、TO-8パッケージ InGaAsフォトダイオードΦ100 µm 拡張型 InGaAs PD ピグテール付きフォトダイオードΦ3 mm 低容量 InGaAs PDフォトディテクタΦ5mm 低容量 InGaAs PDフォトディテクタInGaAs モニタPINフォトダイオード1653.7 nm InGaAsP/InPフォトダイオード（TO-46パッケージ）
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      InGaAs APD﹥
      Φ16 µm ゲイガーモードAPD小型アレイチップ（4 × 4 または 8 × Φ50 µm InGaAs APD ピグテール付きフォトダイオードΦ200 µm InGaAs APDフォトダイオード（TO-46パッケージ）Φ500 µm InGaAs APDフォトダイオード（TO-46パッケージ）Φ1mm InGaAs 4分割APD検出器（TO39パッケージ）InGaAsP/InP 単一光子アバランシェ検出器SPD5526 InGaAs ガイガーモード負帰還型アバランシェフォトダイオードSPD5522 InGaAs　ガイガーモードアバランシェフォトダイオードアンプ内蔵 InGaAs APD受信器
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      InGaAs 単一光子アバランシェフォトダイオード（SPAD）﹥
      InGaAs ガイガーモードアバランシェフォトダイオード（内蔵TEC冷却タイ単一光子アバランシェダイオード（SPAD）裏面入射型 InGaAs 単一光子アバランシェダイオードアレイチップシリーInGaAs SPAD 3ピン TO46 検出器SPD6528Q InGaAs 負帰還型アバランシェフォトダイオードモジュールSPD6527Q InGaAs SPAD検出器モジュールSPD65111S InGaAs ユニット型単一光子検出器モジュール
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      InGaAs 線形検出器﹥
      NIR-256×1 InGaAs 線形検出器NIR-512×1 InGaAs 線形検出器NIR-512×2 InGaAs 線形検出器SWIR-2048×1 InGaAs 線形検出器512×1 拡張型 InGaAs 線形検出器512×1 InGaAs 面積アレイ検出器
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      InGaAs 2Dアレイ検出器﹥
      640×512 InGaAs アレイ検出器1024×512 InGaAs 面積アレイ検出器SPD6514S InGaAs 4×4 アレイ単一光子検出器モジュールSPD6514S InGaAs 8×8アレイ単一光子検出器モジュール640×512 InGaAs 面積アレイ検出器
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      InGaAs マイクロ波受信器﹥
      8〜40 GHz マイクロ波フォトニクス受信機18 GHz マイクロ波フォトニクス受信機640×512-15B InGaAs 短波赤外線イメージングカメラPL-MPR0070 70GHZマイクロ波フォトニクス受信機GMM0001 集積型小型光電子受信モジュール45GHZマイクロ波フォトニクス受信機40 GHz 増幅型マイクロ波受信器40 GHz マイクロ波フォトニクス受信器（超高速フォトディテクタ）WOERBPL15B20 シリーズ 20 GHz フォトディテクタWOERBPL1315B40-HP 40 GHz 高飽和フォトディテクタ30 GHz・850 nm フォトディテクタ40 GHz フォトディテクタ
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      Siフォトダイオード﹥
      Si（シリコン）光ファイバ付きフォトダイオードSi（シリコン）フォトディテクタ（TOパッケージ）
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      Si APD﹥
      Φ1.8 mm 905 nm シリコンアバランシェフォトダイオードSi APD 受信器（アンプ内蔵）、0.8 mm、50 MHz、TO-8パッケージ
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      Siクアドラントフォトダイオード﹥
      16 mm Si（シリコン）4分割PIN検出器
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      特殊フォトダイオード﹥
      超高速光電検出器（400–900 nm）（ET-2030の代替品）
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      Ge（ゲルマニウム）フォトダイオード﹥
      10 mm x 10 mm Geフォトダイオード5 mmまたは10 mm 大型有効直径 Ge（ゲルマニウム）フォトダイオード
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      フォトディテクターチップ﹥
      Φ200µm InGaAs APDチップΦ300 µm PD300 InGaAsフォトダイオードチップΦ1 mm PD1000 InGaAsフォトダイオードチップΦ1–5 mm 低容量・大面積 InGaAsフォトダイオードチップ15mm大面積InGaAs/InP PINフォトダイオードチップΦ1mm InGaAs APD 四分割フォトディテクタチップ大面積 InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ40GHz フォトディテクターチップ70GHz フォトディテクターチップ110GHz フォトディテクターチップ850nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ
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    • 光源
      DFB光源﹥
      4.56 µm 高消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール5.26µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール7.16µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール7.4µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュールkHz級 超狭線幅 高出力 DFBモジュール1270 nm 高安定性 DFB光源1577nm 高安定性 DFB光源
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      FP光源﹥
      4.0 µm 高出力 FP-QCL 光源4.6 µm FP量子カスケードレーザー（QCL）テスト光源マルチモード光ファイバ結合型高出力ポンプレーザー1570 nm 波長 SM 光ファイバ結合レーザー976 nm 高出力光ファイバ結合型半導体ポンプモジュール915 nm 高出力光ファイバ結合型半導体ポンプモジュール
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      広帯域光源（ASE/SLD）﹥
      Cバンド 超小型 ASE 広帯域光源超広帯域 SLD 光源LバンドASE広帯域光源1060nmASE広帯域光源C+LバンドASE広帯域光源980nm バンドASE広帯域光源
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      パルスファイバー光源﹥
      1064nm 超短パルスファイバレーザー（LiDAR用）1550 nm 小型超短パルス光ファイバレーザー（LiDAR用）1064 nm 高ピークパワー光ファイバレーザー1064 nm 低ピークパワー OTDR 光ファイバレーザー1550nm 高ピークパワー光ファイバレーザー1550 nm LiDAR光源 8-in-1ディスクパルス光ファイバレーザー1064 nm、75.5 ps DFBパルスレーザーピコ秒ダイオードレーザー（ドライバ付き）1550 nm ナノ秒パルスレーザーダイオードモジュール1560 nm ナノ秒パルスレーザーダイオードモジュールイッテルビウムドープ ピコ秒シード光ファイバレーザーモジュール1064 nm ナノ秒光ファイバレーザー1550 nm ピコ秒パルスレーザー
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      狭線幅レーザーモジュール﹥
      1550 nm 狭線幅単一周波数レーザーモジュール1550 nm 狭線幅外部共振腔半導体レーザー1550 nm 超狭線幅·波長可変半導体レーザー（コヒーレントLiDAR用）連続波光ファイバレーザー1550 nm 10 mW サブ-kHz線幅単一周波数レーザーモジュール765–798 nm エルビウムドープ 単一通過SHG光ファイバレーザ560-765nm単一通過SHGラマン光ファイバレーザ865-1030nm Tm（ツリウム）ドープ 単一通過SHG光ファイバレーザー連続波可視光ファイバレーザー1545 nm 10 mW 狭線幅単一周波数レーザーモジュール1064nm狭線幅単一周波数レーザーモジュール532 nm 狭線幅単一周波数˙波長可変レーザー780nm  狭線幅単一周波数˙波長可変レーザー
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      チューナブルレーザー光源﹥
      Cバンド用ナノ統合可変レーザーアセンブリLバンド波長可変ファイバレーザーCバンド波長可変ファイバレーザー850nm 高出力可変波長偏波保持レーザーLバンド用ナノ統合可変レーザーアセンブリLバンド波長可変レーザー光源Cバンド波長可変レーザー光源
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      スイプ波長レーザー光源﹥
      1550nm波長掃引レーザー光源OCT干渉計モジュール
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      スーパーコンティニューム光源﹥
      600–2400 nm スーパコンティニューム光源1100-2400nm スーパコンティニューム光源
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    • 検出器モジュール
      InGaAs PDモジュール﹥
      400〜3600 nm InGaAsベース 超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）（生産終了）InGaAs 超低ノイズ PIN 検出器モジュール（アナログ出力）高感度 PIN-FET 受信モジュールInGaAs 増幅型フォトディテクタ 800〜1700 nm（5 MHz）InGaAs バタフライ型フォトディテクタInGaAs 超低ノイズフォトディテクタInGaAs フォトディテクタ1.6 GHz デュアルポート低ノイズフォトディテクタInGaAsP/InP 単一光子検出器モジュール800〜2600 nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタ800〜1700 nm 高速 InGaAs バイアスフォトディテクタ900〜2600 nm InGaAs バイアスフォトディテクタ800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（固定利得）800〜1700 nm InGaAs 可変利得フォトディテクタ400〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得）800〜1700 nm InGaAs バイアス型従来型フォトディテクタ800〜2600 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得・赤外拡張型
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      InGaAs APDモジュール﹥
      100 MHz デュアルポート InGaAs APD フォトディテクタ高感度 InGaAs APD フォトディテクタモジュールInGaAs APD フォトディテクタ800〜1700 nm InGaAs 増幅型 APD（可変利得）SPD6524Q デュアルチャンネル InGaAs SPAD 検出器モジュールSPD6522Q InGaAs SPAD 検出器モジュール
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      InGaAs BPDモジュール﹥
      InGaAs バランスフォトディテクタInGaAs バタフライ型バランスフォトディテクタInGaAs 超低ノイズバランスフォトディテクタ50 MHz InGaAs 低ノイズバランスフォトディテクタミニサイズ InGaAs バランスフォトディテクタ最大10 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード最大25 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード2μm InGaAsバランスフォトディテクター
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      InGaAs BAPDモジュール﹥
      InGaAs APD バランスフォトディテクタ
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      Si PDモジュール﹥
      Si 増幅型フォトディテクタ 320〜1100 nm（200 kHz）350〜1100 nm シリコン系バイアスフォトディテクタSi 増幅型フォトディテクタ 400〜1100 nm（5 MHz）Siフォトディテクタ400〜900 nm シリコン系超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）フォトディテクタ：200〜1100 nm、Si、増幅型、固定利得
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      Si APDモジュール﹥
      Si APD フォトディテクタ400〜1100 nm Si 増幅型 APD（可変利得）アバランシェフォトディテクタ（APD）
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      Si BPDモジュール﹥
      Si バランスフォトディテクタ400 MHz 超低ノイズバランスフォトディテクタ
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      Si BAPDモジュール﹥
      Si APD バランスフォトディテクタ
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      InAsSb PDモジュール﹥
      2–12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（従来型）2〜12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（高感度型）
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      HgCdTe PDモジュール﹥
      1-5µm HgCdTe 増幅型フォトディテクタ
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      Geフォトディテクタモジュール﹥
      Ge 大面積フォトディテクタ：800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型
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    • レーザーシステム
      光ファイバ増幅器﹥
      Cバンド 高出力エルビウム/イッテルビウムドープドファイバ増幅器（EYC++バンド エルビウムドープドファイバ増幅器1064 nm 波長 連続波（CW）ファイバ増幅器ラマン光ファイバ増幅器デュアルチャンネル高出力光ファイバ増幅器シャーシ（2U）光ファイバ増幅器シャーシ（1U）高出力光ファイバ増幅器シャーシ（ベンチトップ型）偏波保持型ファイバ増幅器（MSAサイズ)低ノイズファイバ増幅器パルスファイバ増幅器超高出力狭線幅レーザーおよび高出力ファイバ増幅器1120〜1750 nm ラマンファイバ増幅器単一周波数ファイバ増幅器1120〜1750 nm ラマンファイバ増幅器
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      TDLAS計測器﹥
      10.26 µm DFB量子カスケードレーザー（QCL）TDLAS解析システムTDLASレーザーガス検知装置中赤外ファブリ–ペロー（FP）干渉計
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      テスト機器﹥
      中波長・長波長赤外ビームプロファイリング光スペクトラムアナライザ（600 nm – 1700 nm）LP6362C 可視波長光スペクトラムアナライザ（350 nm – 1200 nm）走査型ファブリ–ペロー干渉計-1200A走査型ファブリ–ペロー干渉計- 500 A走査型ファブリ–ペロー干渉計- 800 A高精度フィゾー干渉計方式波長計
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    • レーザーアクセサリー
      光学部品﹥
      HR/AR ピグテールコーティング（光ファイバーミラー）全ファイバー型 43.8 m 光路長ヘリオットセルホワイト型広帯域ガス吸収セルコンパクト固定時間遅延コイル単一モードファイバー用アクロマティックコリメータ（400–700 nm / 薄膜リチウムニオベート MZ変調器（DFBレーザー内蔵）超小型ガス吸収セル（光路長 10 m）3 m 全ファイバー結合型ガス吸収セルキャビティリングダウン（CRD）による超低損失ミラーの反射率評価DVS コヒーレント受信モジュール微弱信号用コヒーレント受信モジュール偏光多重対応コヒーレント受信器超低ノイズ偏光多重コヒーレント受信器マッハ–ツェンダー干渉計（MZI）集光型光ファイバコリメータ（焦点距離 4.5 / 7.5 / 11 mm）1550 nm 固定焦点 大口径ビームコリメータ850nm・10GHz リチウムニオベート強度変調器1550 nm 光ファイバ用 2.5G/10G/20G/40G 強度変調器
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      電気部品﹥
      レーザーダイオードドライバー（TEC・電流駆動内蔵）超低ノイズレーザーダイオード直線駆動モジュールTOパッケージ用 LD-PD INC VCSELレーザーダイオードドライバレーザーダイオード駆動ボックス1550nn DBR レーザーダイオード駆動低ノイズレーザードライバ（LD電流600 mA、LD電圧2.8 V）LLMS001 レーザー波長幅測定システム超小型圧電（PZT）駆動モジュールRFレーザーダイオード用ミニ駆動モジュールPZT高速ファイバーストレッチャー（位相変調器）高精度定電流レーザー制御ベンチSOAレーザードライバコントローラデュアルチャンネル低ノイズレーザーダイオード線形駆動モジュールTOパッケージ用レーザーダイオード駆動ボックス超低ノイズレーザーダイオード（アイソレータ内蔵）線形駆動モジュール
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      超高速光学デバイス﹥
      633 nm ピコ秒可変ファイバーディレイコイル845 nm 600 ps モータ駆動可変光学遅延線モータ駆動可変光学遅延線可変光学遅延線PZT搭載モータ駆動可変光学遅延線高出力偏光保持型型アイソレータ（バンドパスフィルター内蔵）1030 nm 高出力偏光保持型アイソレータ675nm 高出力偏光保持型アイソレータ1030 nm 偏光保持型ミラー（バンドパスフィルター 10 nm 内蔵）1030 nm 偏波ビームコンバイナ／スプリッタ (PBC/PBS)400–2300 nm 偏光保持型パッチコード (PMファイバーパッチコード)1064nm偏光保持型アイソレータ高出力偏光保持型フィルター波長分割多重器 (PM-FWDM)1950 nm 高出力シングルモードファイバ光アイソレータ（高ピークパワ統合型偏波ビームコンバイナ／デポーラライザ（IPBCD）633nm偏光保持型アイソレータ1×1 高速（ナノスピード）ファイバ光スイッチ（Cバンド SOA）プログラム可能光学アッテネータ（POA）
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      RFアクセサリー﹥
      ベクトルネットワークアナライザ用専用テストケーブル8–12GHz RF信号生成モジュール
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      光学アクセサリー﹥
      反射型ボリュームブラッグ格子（R-VBG）チャープボリュームブラッグ格子（CVBG）透過型ボリュームブラッグ格子（T-VBG）
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      薄膜リチウムニオベート光変調器﹥
      110 GHz 薄膜リチウムニオベート 超高帯域光強度変調器40 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧40 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧20GHz　薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧60 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧20GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧TLNLB 1310nm 40/60 Oバンド トラベリングウェーブ型電気光学光強度変TFLNC 1550nm 40/60 GHz ベンド型導波路 電気光学光強度変調器チップTFLNC 40/60 GHz 高速トラベリングウェーブ型電気光学光強度変調器チ40 GHz 薄膜リチウムニオベート IQ変調器70 GHz 薄膜リチウムニオベート 超高帯域光強度変調器20 GHz 薄膜リチウムニオベート IQ変調器
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    • レーザーチップ
      DFB チップ﹥
      Oバンド 高出力分布フィードバック型レーザーチップTDLAS DFB レーザーチップ1550 nm 高出力 DFBレーザーチップ（DWDM 用）フル Cバンド 2.5 G DWDM DFB レーザーチップ高出力 CバンドDFBレーザーダイオードチップDFB-1XXX-250 DFB レーザーチップ
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      FPチップ﹥
      97x 高出力 FPレーザーチップ（EDFA 用）1550 nm FPレーザーダイオードチップシングルモードポンプダイオードレーザー、980 nm、1500 mW CW
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      SLDチップ﹥
      1310 nm 低偏光度SLDレーザーチップ1590 nm 裸チップSLDレーザーチップ1550 nm 裸チップSLDレーザーチップ
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      SOAチップ﹥
      Oバンド 非線形SOAチップキャリア上実装型半導体光増幅器チップ1266 nm 高出力RSOAチップ
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      増幅チップ﹥
      1550 nm 高出力ゲインチップ1550nm ゲインチップキャリア上実装型 850 nm 125 mW ゲインチップキャリア上実装型 780 nm 50mW ゲインチップキャリア上実装型 905nm 200mW ゲインチップゲインチップ 200mW @ 1060nm キャリア上
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      VCSELチップ﹥
      761 nm / 763 nm シングルモード VCSELチップ
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    • カスタマイズ
      フォトダイオードカスタマイズ>
      フォトダイオードカスタマイズ
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      レーザーダイオードカスタマイズ>
      レーザーダイオードカスタマイズ
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  • レーザーSub
    レーザー
    DBRレーザー /分散型ブラッグ反射レーザーSub
    DBRレーザー /分散型ブラッグ反射レーザー
    1530-1540nm 8nm 可変帯域幅 DBR レーザダイオード
    1540～1560 nm、8 nm 可変帯域 DBR レーザー
    1560-1570nm 波長チューニングレンジ：8-10nm
    1570-1580nm 波長チューニングレンジ：8-10nm
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    RFモジュールSub
    RFモジュール
    10～20 GHz 1310/1550 nm 高速 20 GHz 超 直接変調レーザー
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    分布帰還型レーザー Sub
    分布帰還型レーザー
    760nm DFB レーザー O2 検知用 　TO　　　パッケージ
    760nm DFB レーザー O2 検知用　 TO39 　パッケージ
    760nm DFB レーザーダイオード（O₂ 検出用）
    764nm DFB　波長可変レーザー
    777nm CPT 用 DFB レーザー
    780nm DFB レーザー 14ピンバタフライパッケージ
    795nm DFB レーザー
    828nm DFB レーザーシードレーザー用
    850nm DFB レーザーシードレーザー用
    852nm 低コストDFB レーザー　（常温動作）
    895nm DFB レーザーシードレーザー用
    935nm DFB レーザーシードレーザー用
    972.4nm DFB レーザーシードレーザー用
    976nm DFB レーザーシードレーザー用
    980nm DFB レーザーシードレーザー用
    986nm DFB レーザーシードレーザー用
    1018nm DFB レーザーシードレーザー用
    1028nm DFB レーザー
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    ファブリペロー型レーザーSub
    ファブリペロー型レーザー
    405nm　FPレーザー
    405nm　FPレーザー
    488nm　FPレーザー
    520 nm FP 光ファイバー結合レーザー   SM
    633nm　FPレーザー
    655nm　FPレーザー
    785nm 1000mW FP光ファイバー結合レーザー
    785nm　高出力FPレーザー
    785nm FP ポンプレーザー
    785nmポンプレーザーFBG安定化
    795nm　FPレーザー
    808nm 高出力ポンプレーザー
    808nmポンプレーザーFBG安定化
    830m TO9 高出力レーザー(1W）
    830nm FP単一モードモジュールレーザー
    840nm FP単一モード 14-ピンバタフライモジュールレーザー
    850nm FP単一モード 14-ピンバタフライモジュールレーザー
    905nm 高出力レーザー　LiDARおよび測距用
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    発光ダイオードSub
    発光ダイオード
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    スーパーラムレーザーダイオードSub
    スーパーラムレーザーダイオード
    650nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    670nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    780nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    780nm 超高出力スーパー蛍光LED（GaAsベース SLED）ダイオード
    850nm　高出力 SLDレーザー
    850nm スーパー蛍光LED（GaAsベース SLED）ダイオード
    910nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1000nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1060nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1064nm 高出力スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1200nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1240nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1280nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1290nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
    1310nm　低偏光度　SLED
    1310nm スーパー蛍光（SLD）レーザー、8ピン、冷却型
    1310nm スーパー蛍光（SLD）レーザー、6ピン、冷却型
    1310nm スーパー蛍光ダイオード（SLD）レーザー
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    VCSELレーザーダイオードSub
    VCSELレーザーダイオード
    760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TO39パッケージ、TEC付き
    760nm / 763nm 単一モード VCSEL レーザー　O₂検知用、TEC無し
    794.7nm 単一モード VCSEL レーザーダイオード（Rb原子 D1ライン CPT用）
    795nm　VCSEL レーザー
    795nm TO46 VCSEL レーザー（TEC付き、高出力タイプ）
    850nm TO46 偏光保持ファイバ結合 VCSEL ダイオード（TEC付き）
    850nm TO46 偏光保持ファイバ結合 VCSEL ダイオード（TEC無し）
    850nm 単一モード VCSEL レーザー（高速通信用）
    850nm 単一モードファイバ結合 VCSEL レーザー（4.25 Gbps 高速通信用）
    850nm 単一モード VCSEL レーザー（TO46パッケージ、TECおよびNTC内蔵）
    852nmVCSEL レーザー（セシウム D2 遷移線 CPT用）
    1310nm　単一モードVCSELレーザー（TEC内蔵）
    1540 / 1550 nm VCSEL レーザーピグテール付き
    1550nm 広帯域可変 VCSEL（面発光レーザー）TEC付き
    1567 / 1550 / 1653.7 nm ピグテール付き VCSEL レーザー（SM-28Eファイバ結合、FC/APCコネクタ付き）
    1403 nm MEMS VCSEL レーザーダイオード
    1550nm 単一モード VCSEL レーザー（4.25 Gbps 高速通信用）
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    外部共振器レーザーSub
    外部共振器レーザー
    633nm狭線幅レーザー
    633nm単一周波数・波長可変レーザー　FBG安定化
    638nm狭線幅レーザー
    660nm狭線幅レーザー
    660 nm 単一周波数・波長可変 狭線幅レーザー　FBG安定化
    685nm 単一周波数・狭線幅レーザー
    762nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化
    770nm 単一周波数・狭線幅レーザー
    770nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化
    775nm狭線幅レーザー
    775 nm 狭線幅レーザー（DILパッケージ）
    780nm 単一周波数・狭線幅レーザー
    780nm単一周波数・波長可変狭線幅レーザー　FBG安定化
    785nm 単一周波数・狭線幅レーザー
    785nm 単一周波数FBG安定化チューナブル狭線幅レーザー
    795 nm 狭線幅レーザー
    808 nm 狭線幅レーザー
    820nm 狭線幅レーザー
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    半導体光増幅器Sub
    半導体光増幅器
    680 nm 半導体光増幅器（非線形）
    790nm半導体光増幅器（非線形）
    790 nm 高利得半導体光増幅器
    840nm半導体光増幅器（非線形）
    910nm 半導体光増幅器（非線形）
    1020nm 高利得半導体光増幅器
    1060nm 高利得半導体光増幅器
    1060nm 半導体光増幅器（非線形）
    1090nm 高利得半導体光増幅器
    1270nm 半導体光増幅器
    Oバンド半導体光増幅器（非線形）
    Sバンド（1450–1530 nm）半導体光増幅器、低偏光
    1550nm半導体光増幅器
    1550nm 高利得半導体光増幅器
    C-バンド半導体光増幅器（非線形）
    1600nm半導体光増幅器
    1650nm半導体光増幅器
    半導体光増幅器（SOA）モジュール
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    QCLレーザーダイオードSub
    QCLレーザーダイオード
    8500 nm 高出力 QCLレーザー
    DFB-QCLレーザー
    FP-QCL レーザー
    EM-QCL
    Hyper EC-QCL
    SPF-QCL
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  • フォトダイオードSub
    フォトダイオード
    InGaAsフォトダイオードSub
    InGaAsフォトダイオード
    Φ75 µm InGaAsフォトダイオード
    Φ75 µm InGaAsフォトダイオード ピグテール付き
    Φ75 µm 1550 nm InGaAs マルチモードファイバ ピグテール付きフォトダイオード
    Φ300–3000 µm 2.7 µm 拡張型 InGaAs フォトダイオード
    Φ300–3000 µm 900–1700 nm 2段TEC、TO-8パッケージ InGaAsフォトダイオード
    Φ1–3 mm 拡張型 InGaAs フォトダイオード
    Φ1 mm InGaAs 4分割 PIN検出器
    Φ1 mm 800–3600 nm 低ノイズ・高信頼性赤外線検出器
    Φ1.5 mm InGaAs 4分割 PIN検出器
    Φ5 mm 大面積 InGaAsフォトダイオード
    1280 × 1024 InGaAsパネル検出器 ピクセルサイズ15 µm
    Φ10 mm InGaAs 超大面積PIN検出器
    1 mm 900–2700 nm 2段TEC、TO-8パッケージ InGaAsフォトダイオード
    Φ100 µm 拡張型 InGaAs PD ピグテール付きフォトダイオード
    Φ3 mm 低容量 InGaAs PDフォトディテクタ
    Φ5mm 低容量 InGaAs PDフォトディテクタ
    InGaAs モニタPINフォトダイオード
    1653.7 nm InGaAsP/InPフォトダイオード（TO-46パッケージ）
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    InGaAs APDSub
    InGaAs APD
    Φ16 µm ゲイガーモードAPD小型アレイチップ（4 × 4 または 8 × 8アレイ）
    Φ50 µm InGaAs APD ピグテール付きフォトダイオード
    Φ200 µm InGaAs APDフォトダイオード（TO-46パッケージ）
    Φ500 µm InGaAs APDフォトダイオード（TO-46パッケージ）
    Φ1mm InGaAs 4分割APD検出器（TO39パッケージ）
    InGaAsP/InP 単一光子アバランシェ検出器
    SPD5526 InGaAs ガイガーモード負帰還型アバランシェフォトダイオード
    SPD5522 InGaAs　ガイガーモードアバランシェフォトダイオード
    アンプ内蔵 InGaAs APD受信器
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    InGaAs 単一光子アバランシェフォトダイオード（SPAD）Sub
    InGaAs 単一光子アバランシェフォトダイオード（SPAD）
    InGaAs ガイガーモードアバランシェフォトダイオード（内蔵TEC冷却タイプ）
    単一光子アバランシェダイオード（SPAD）
    裏面入射型 InGaAs 単一光子アバランシェダイオードアレイチップシリーズ
    InGaAs SPAD 3ピン TO46 検出器
    SPD6528Q InGaAs 負帰還型アバランシェフォトダイオードモジュール
    SPD6527Q InGaAs SPAD検出器モジュール
    SPD65111S InGaAs ユニット型単一光子検出器モジュール
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    InGaAs 線形検出器Sub
    InGaAs 線形検出器
    NIR-256×1 InGaAs 線形検出器
    NIR-512×1 InGaAs 線形検出器
    NIR-512×2 InGaAs 線形検出器
    SWIR-2048×1 InGaAs 線形検出器
    512×1 拡張型 InGaAs 線形検出器
    512×1 InGaAs 面積アレイ検出器
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    InGaAs 2Dアレイ検出器Sub
    InGaAs 2Dアレイ検出器
    640×512 InGaAs アレイ検出器
    1024×512 InGaAs 面積アレイ検出器
    SPD6514S InGaAs 4×4 アレイ単一光子検出器モジュール
    SPD6514S InGaAs 8×8アレイ単一光子検出器モジュール
    640×512 InGaAs 面積アレイ検出器
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    InGaAs マイクロ波受信器Sub
    InGaAs マイクロ波受信器
    8〜40 GHz マイクロ波フォトニクス受信機
    18 GHz マイクロ波フォトニクス受信機
    640×512-15B InGaAs 短波赤外線イメージングカメラ
    PL-MPR0070 70GHZマイクロ波フォトニクス受信機
    GMM0001 集積型小型光電子受信モジュール
    45GHZマイクロ波フォトニクス受信機
    40 GHz 増幅型マイクロ波受信器
    40 GHz マイクロ波フォトニクス受信器（超高速フォトディテクタ）
    WOERBPL15B20 シリーズ 20 GHz フォトディテクタ
    WOERBPL1315B40-HP 40 GHz 高飽和フォトディテクタ
    30 GHz・850 nm フォトディテクタ
    40 GHz フォトディテクタ
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    SiフォトダイオードSub
    Siフォトダイオード
    Si（シリコン）光ファイバ付きフォトダイオード
    Si（シリコン）フォトディテクタ（TOパッケージ）
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    Si APDSub
    Si APD
    Φ1.8 mm 905 nm シリコンアバランシェフォトダイオード
    Si APD 受信器（アンプ内蔵）、0.8 mm、50 MHz、TO-8パッケージ
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    SiクアドラントフォトダイオードSub
    Siクアドラントフォトダイオード
    16 mm Si（シリコン）4分割PIN検出器
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    特殊フォトダイオードSub
    特殊フォトダイオード
    超高速光電検出器（400–900 nm）（ET-2030の代替品）
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    Ge（ゲルマニウム）フォトダイオードSub
    Ge（ゲルマニウム）フォトダイオード
    10 mm x 10 mm Geフォトダイオード
    5 mmまたは10 mm 大型有効直径 Ge（ゲルマニウム）フォトダイオード
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    フォトディテクターチップSub
    フォトディテクターチップ
    Φ200µm InGaAs APDチップ
    Φ300 µm PD300 InGaAsフォトダイオードチップ
    Φ1 mm PD1000 InGaAsフォトダイオードチップ
    Φ1–5 mm 低容量・大面積 InGaAsフォトダイオードチップ
    15mm大面積InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ
    Φ1mm InGaAs APD 四分割フォトディテクタチップ
    大面積 InGaAs/InP PINフォトダイオードチップ
    40GHz フォトディテクターチップ
    70GHz フォトディテクターチップ
    110GHz フォトディテクターチップ
    850nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ
    1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ
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  • 光源Sub
    光源
    DFB光源Sub
    DFB光源
    4.56 µm 高消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール
    5.26µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール
    7.16µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール
    7.4µm 低消費電力 DFB-QCL レーザーモジュール
    kHz級 超狭線幅 高出力 DFBモジュール
    1270 nm 高安定性 DFB光源
    1577nm 高安定性 DFB光源
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    FP光源Sub
    FP光源
    4.0 µm 高出力 FP-QCL 光源
    4.6 µm FP量子カスケードレーザー（QCL）テスト光源
    マルチモード光ファイバ結合型高出力ポンプレーザー
    1570 nm 波長 SM 光ファイバ結合レーザー
    976 nm 高出力光ファイバ結合型半導体ポンプモジュール
    915 nm 高出力光ファイバ結合型半導体ポンプモジュール
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    広帯域光源（ASE/SLD）Sub
    広帯域光源（ASE/SLD）
    Cバンド 超小型 ASE 広帯域光源
    超広帯域 SLD 光源
    LバンドASE広帯域光源
    1060nmASE広帯域光源
    C+LバンドASE広帯域光源
    980nm バンドASE広帯域光源
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    パルスファイバー光源Sub
    パルスファイバー光源
    1064nm 超短パルスファイバレーザー（LiDAR用）
    1550 nm 小型超短パルス光ファイバレーザー（LiDAR用）
    1064 nm 高ピークパワー光ファイバレーザー
    1064 nm 低ピークパワー OTDR 光ファイバレーザー
    1550nm 高ピークパワー光ファイバレーザー
    1550 nm LiDAR光源 8-in-1
    ディスクパルス光ファイバレーザー
    1064 nm、75.5 ps DFBパルスレーザー
    ピコ秒ダイオードレーザー（ドライバ付き）
    1550 nm ナノ秒パルスレーザーダイオードモジュール
    1560 nm ナノ秒パルスレーザーダイオードモジュール
    イッテルビウムドープ ピコ秒シード光ファイバレーザーモジュール
    1064 nm ナノ秒光ファイバレーザー
    1550 nm ピコ秒パルスレーザー
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    狭線幅レーザーモジュールSub
    狭線幅レーザーモジュール
    1550 nm 狭線幅単一周波数レーザーモジュール
    1550 nm 狭線幅外部共振腔半導体レーザー
    1550 nm 超狭線幅·波長可変半導体レーザー（コヒーレントLiDAR用）
    連続波光ファイバレーザー
    1550 nm 10 mW サブ-kHz線幅単一周波数レーザーモジュール
    765–798 nm エルビウムドープ 単一通過SHG光ファイバレーザ
    560-765nm単一通過SHGラマン光ファイバレーザ
    865-1030nm Tm（ツリウム）ドープ 単一通過SHG光ファイバレーザー
    連続波可視光ファイバレーザー
    1545 nm 10 mW 狭線幅単一周波数レーザーモジュール
    1064nm狭線幅単一周波数レーザーモジュール
    532 nm 狭線幅単一周波数˙波長可変レーザー
    780nm  狭線幅単一周波数˙波長可変レーザー
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    チューナブルレーザー光源Sub
    チューナブルレーザー光源
    Cバンド用ナノ統合可変レーザーアセンブリ
    Lバンド波長可変ファイバレーザー
    Cバンド波長可変ファイバレーザー
    850nm 高出力可変波長偏波保持レーザー
    Lバンド用ナノ統合可変レーザーアセンブリ
    Lバンド波長可変レーザー光源
    Cバンド波長可変レーザー光源
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    スイプ波長レーザー光源Sub
    スイプ波長レーザー光源
    1550nm波長掃引レーザー光源
    OCT干渉計モジュール
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    スーパーコンティニューム光源Sub
    スーパーコンティニューム光源
    600–2400 nm スーパコンティニューム光源
    1100-2400nm スーパコンティニューム光源
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  • 検出器モジュールSub
    検出器モジュール
    InGaAs PDモジュールSub
    InGaAs PDモジュール
    400〜3600 nm InGaAsベース 超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）
    （生産終了）InGaAs 超低ノイズ PIN 検出器モジュール（アナログ出力）
    高感度 PIN-FET 受信モジュール
    InGaAs 増幅型フォトディテクタ 800〜1700 nm（5 MHz）
    InGaAs バタフライ型フォトディテクタ
    InGaAs 超低ノイズフォトディテクタ
    InGaAs フォトディテクタ
    1.6 GHz デュアルポート低ノイズフォトディテクタ
    InGaAsP/InP 単一光子検出器モジュール
    800〜2600 nm 赤外拡張型 InGaAs 増幅フォトディテクタ
    800〜1700 nm 高速 InGaAs バイアスフォトディテクタ
    900〜2600 nm InGaAs バイアスフォトディテクタ
    800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ
    800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（固定利得）
    800〜1700 nm InGaAs 可変利得フォトディテクタ
    400〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得）
    800〜1700 nm InGaAs バイアス型従来型フォトディテクタ
    800〜2600 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得・赤外拡張型）
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    InGaAs APDモジュールSub
    InGaAs APDモジュール
    100 MHz デュアルポート InGaAs APD フォトディテクタ
    高感度 InGaAs APD フォトディテクタモジュール
    InGaAs APD フォトディテクタ
    800〜1700 nm InGaAs 増幅型 APD（可変利得）
    SPD6524Q デュアルチャンネル InGaAs SPAD 検出器モジュール
    SPD6522Q InGaAs SPAD 検出器モジュール
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    InGaAs BPDモジュールSub
    InGaAs BPDモジュール
    InGaAs バランスフォトディテクタ
    InGaAs バタフライ型バランスフォトディテクタ
    InGaAs 超低ノイズバランスフォトディテクタ
    50 MHz InGaAs 低ノイズバランスフォトディテクタ
    ミニサイズ InGaAs バランスフォトディテクタ
    最大10 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード
    最大25 GHz対応バランス型 InGaAs フォトダイオード
    2μm InGaAsバランスフォトディテクター
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    InGaAs BAPDモジュールSub
    InGaAs BAPDモジュール
    InGaAs APD バランスフォトディテクタ
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    Si PDモジュールSub
    Si PDモジュール
    Si 増幅型フォトディテクタ 320〜1100 nm（200 kHz）
    350〜1100 nm シリコン系バイアスフォトディテクタ
    Si 増幅型フォトディテクタ 400〜1100 nm（5 MHz）
    Siフォトディテクタ
    400〜900 nm シリコン系超高速フォトディテクタ（最大20 GHz）
    フォトディテクタ：200〜1100 nm、Si、増幅型、固定利得
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    Si APDモジュールSub
    Si APDモジュール
    Si APD フォトディテクタ
    400〜1100 nm Si 増幅型 APD（可変利得）
    アバランシェフォトディテクタ（APD）
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    Si BPDモジュールSub
    Si BPDモジュール
    Si バランスフォトディテクタ
    400 MHz 超低ノイズバランスフォトディテクタ
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    Si BAPDモジュールSub
    Si BAPDモジュール
    Si APD バランスフォトディテクタ
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    InAsSb PDモジュールSub
    InAsSb PDモジュール
    2–12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（従来型）
    2〜12 µm InAsSb 増幅型フォトディテクタ（高感度型）
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    HgCdTe PDモジュールSub
    HgCdTe PDモジュール
    1-5µm HgCdTe 増幅型フォトディテクタ
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    GeフォトディテクタモジュールSub
    Geフォトディテクタモジュール
    Ge 大面積フォトディテクタ：800〜1800 nm、Ge、バイアス型、従来型
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  • レーザーシステムSub
    レーザーシステム
    光ファイバ増幅器Sub
    光ファイバ増幅器
    Cバンド 高出力エルビウム/イッテルビウムドープドファイバ増幅器（EYDFA）
    C++バンド エルビウムドープドファイバ増幅器
    1064 nm 波長 連続波（CW）ファイバ増幅器
    ラマン光ファイバ増幅器
    デュアルチャンネル高出力光ファイバ増幅器シャーシ（2U）
    光ファイバ増幅器シャーシ（1U）
    高出力光ファイバ増幅器シャーシ（ベンチトップ型）
    偏波保持型ファイバ増幅器（MSAサイズ)
    低ノイズファイバ増幅器
    パルスファイバ増幅器
    超高出力狭線幅レーザーおよび高出力ファイバ増幅器
    1120〜1750 nm ラマンファイバ増幅器
    単一周波数ファイバ増幅器
    1120〜1750 nm ラマンファイバ増幅器
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    TDLAS計測器Sub
    TDLAS計測器
    10.26 µm DFB量子カスケードレーザー（QCL）TDLAS解析システム
    TDLASレーザーガス検知装置
    中赤外ファブリ–ペロー（FP）干渉計
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    テスト機器Sub
    テスト機器
    中波長・長波長赤外ビームプロファイリング
    光スペクトラムアナライザ（600 nm – 1700 nm）
    LP6362C 可視波長光スペクトラムアナライザ（350 nm – 1200 nm）
    走査型ファブリ–ペロー干渉計-1200A
    走査型ファブリ–ペロー干渉計- 500 A
    走査型ファブリ–ペロー干渉計- 800 A
    高精度フィゾー干渉計方式波長計
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  • レーザーアクセサリーSub
    レーザーアクセサリー
    光学部品Sub
    光学部品
    HR/AR ピグテールコーティング（光ファイバーミラー）
    全ファイバー型 43.8 m 光路長ヘリオットセル
    ホワイト型広帯域ガス吸収セル
    コンパクト固定時間遅延コイル
    単一モードファイバー用アクロマティックコリメータ（400–700 nm / 650–1100 nm / 1050–1700 nm）
    薄膜リチウムニオベート MZ変調器（DFBレーザー内蔵）
    超小型ガス吸収セル（光路長 10 m）
    3 m 全ファイバー結合型ガス吸収セル
    キャビティリングダウン（CRD）による超低損失ミラーの反射率評価
    DVS コヒーレント受信モジュール
    微弱信号用コヒーレント受信モジュール
    偏光多重対応コヒーレント受信器
    超低ノイズ偏光多重コヒーレント受信器
    マッハ–ツェンダー干渉計（MZI）
    集光型光ファイバコリメータ（焦点距離 4.5 / 7.5 / 11 mm）
    1550 nm 固定焦点 大口径ビームコリメータ
    850nm・10GHz リチウムニオベート強度変調器
    1550 nm 光ファイバ用 2.5G/10G/20G/40G 強度変調器
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    電気部品Sub
    電気部品
    レーザーダイオードドライバー（TEC・電流駆動内蔵）
    超低ノイズレーザーダイオード直線駆動モジュール
    TOパッケージ用 LD-PD INC VCSELレーザーダイオードドライバ
    レーザーダイオード駆動ボックス
    1550nn DBR レーザーダイオード駆動
    低ノイズレーザードライバ（LD電流600 mA、LD電圧2.8 V）
    LLMS001 レーザー波長幅測定システム
    超小型圧電（PZT）駆動モジュール
    RFレーザーダイオード用ミニ駆動モジュール
    PZT高速ファイバーストレッチャー（位相変調器）
    高精度定電流レーザー制御ベンチ
    SOAレーザードライバコントローラ
    デュアルチャンネル低ノイズレーザーダイオード線形駆動モジュール
    TOパッケージ用レーザーダイオード駆動ボックス
    超低ノイズレーザーダイオード（アイソレータ内蔵）線形駆動モジュール LDRVMLN
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    超高速光学デバイスSub
    超高速光学デバイス
    633 nm ピコ秒可変ファイバーディレイコイル
    845 nm 600 ps モータ駆動可変光学遅延線
    モータ駆動可変光学遅延線
    可変光学遅延線
    PZT搭載モータ駆動可変光学遅延線
    高出力偏光保持型型アイソレータ（バンドパスフィルター内蔵）
    1030 nm 高出力偏光保持型アイソレータ
    675nm 高出力偏光保持型アイソレータ
    1030 nm 偏光保持型ミラー（バンドパスフィルター 10 nm 内蔵）
    1030 nm 偏波ビームコンバイナ／スプリッタ (PBC/PBS)
    400–2300 nm 偏光保持型パッチコード (PMファイバーパッチコード)
    1064nm偏光保持型アイソレータ
    高出力偏光保持型フィルター波長分割多重器 (PM-FWDM)
    1950 nm 高出力シングルモードファイバ光アイソレータ（高ピークパワー対応）
    統合型偏波ビームコンバイナ／デポーラライザ（IPBCD）
    633nm偏光保持型アイソレータ
    1×1 高速（ナノスピード）ファイバ光スイッチ（Cバンド SOA）
    プログラム可能光学アッテネータ（POA）
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    RFアクセサリーSub
    RFアクセサリー
    ベクトルネットワークアナライザ用専用テストケーブル
    8–12GHz RF信号生成モジュール
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    光学アクセサリーSub
    光学アクセサリー
    反射型ボリュームブラッグ格子（R-VBG）
    チャープボリュームブラッグ格子（CVBG）
    透過型ボリュームブラッグ格子（T-VBG）
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    薄膜リチウムニオベート光変調器Sub
    薄膜リチウムニオベート光変調器
    110 GHz 薄膜リチウムニオベート 超高帯域光強度変調器
    40 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧（ストレート型）
    40 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧（ベンド型）
    20GHz　薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧（ストレート型）
    60 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧（ベンド型）
    20GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧（ベンド型）
    TLNLB 1310nm 40/60 Oバンド トラベリングウェーブ型電気光学光強度変調器チップ
    TFLNC 1550nm 40/60 GHz ベンド型導波路 電気光学光強度変調器チップ
    TFLNC 40/60 GHz 高速トラベリングウェーブ型電気光学光強度変調器チップ（薄膜リチウムニオベート TFLN）
    40 GHz 薄膜リチウムニオベート IQ変調器
    70 GHz 薄膜リチウムニオベート 超高帯域光強度変調器
    20 GHz 薄膜リチウムニオベート IQ変調器
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  • レーザーチップSub
    レーザーチップ
    DFB チップSub
    DFB チップ
    Oバンド 高出力分布フィードバック型レーザーチップ
    TDLAS DFB レーザーチップ
    1550 nm 高出力 DFBレーザーチップ（DWDM 用）
    フル Cバンド 2.5 G DWDM DFB レーザーチップ
    高出力 CバンドDFBレーザーダイオードチップ
    DFB-1XXX-250 DFB レーザーチップ
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    FPチップSub
    FPチップ
    97x 高出力 FPレーザーチップ（EDFA 用）
    1550 nm FPレーザーダイオードチップ
    シングルモードポンプダイオードレーザー、980 nm、1500 mW CW
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    SLDチップSub
    SLDチップ
    1310 nm 低偏光度SLDレーザーチップ
    1590 nm 裸チップSLDレーザーチップ
    1550 nm 裸チップSLDレーザーチップ
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    SOAチップSub
    SOAチップ
    Oバンド 非線形SOAチップ
    キャリア上実装型半導体光増幅器チップ
    1266 nm 高出力RSOAチップ
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    増幅チップSub
    増幅チップ
    1550 nm 高出力ゲインチップ
    1550nm ゲインチップ
    キャリア上実装型 850 nm 125 mW ゲインチップ
    キャリア上実装型 780 nm 50mW ゲインチップ
    キャリア上実装型 905nm 200mW ゲインチップ
    ゲインチップ 200mW @ 1060nm キャリア上
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    VCSELチップSub
    VCSELチップ
    761 nm / 763 nm シングルモード VCSELチップ
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    09 2022-12

    2021-2022 most potential Technology from LD-PD PTE. LTD. ---Cavity Ring-Down Spectroscopy

    Cavity Ring-Down Spectroscopy (CRDS) works by attuning light rays to the unique molecular fingerprint of the sample spe...

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    24 2021-02

    A short discussion on 980nm and 1480nm pump based Erbium Doped Fiber Amplifiers (EDFA)

    The 980nm pump needs three energy level for radiation while 1480nm pumps can excite the ions directly to the metastable level .

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    22 2020-10

    SD-OCT Solutions

    Light from the light source is split into the reference beam and the central beam. Back reflected light from both arms ...

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    07 2017-12

    Tunable Diode Laser Absorption Optical Spectroscopy (TDLAS)

    LD-PD INC is working in four areas of optical absorption spectroscopy. Most optical sensors and analyzers rely on absor...

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    06 2017-12

    Optical Spectrum Analyzer Product Line Into the Mid-IR

    th a full-featured front panel keypad and backlit LCD display, the console is capable of acting as a stand-alone, real-...

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    23 2017-11

    Long optical path-length from a compact multi-pass cell

    The multiple-pass optical cell is an important tool for laser absorption spectroscopy(TDLAS)and its many applications. ...

    詳細を見る →
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