InGaAs ガイガーモードアバランシェフォトダイオード(内蔵TEC冷却タイプ)     


InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD)は、短波近赤外域の単一光子検出向けに設計された特殊デバイスです。
量子通信や微弱光検出などの分野で求められる、高効率・低ノイズの単一光子検出を実現可能で、波長 0.9–1.7 μm の単一光子検出が可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
InGaAs ゲイガーモードアバランシェフォトダイオード   [PDF]  [RFQ]

IGA-APD-GM104-TEC
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

·  スペクトル応答範囲:0.9~1.7 μm

·  高検出効率および低暗カウント率

·  6ピン TO8 パッケージ


仕様

リニアモードパラメータ

モデル

IGA-APD-GM104-TEC

パラメータ

記号

単位

条件

最小値

典型値

最大値

逆ブレークダウン電圧

BR

V

22℃±3℃ ,ID =10μA

60

80

90

感度

Re

A/W

22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22℃±3℃,M =10


0.1

0.3

静電容量

C

pF

22℃±3℃ ,M =10,f=1MHz



0.25

温度

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15

 

ブレークダウン電圧係数 ゲイガーモードパラメータ

パラメータ

単位

条件

最小値

典型値

最大値

PDE

%

温度:-45℃、波長 λ = 1550 nm、0.1 光子/パルス、ポアソン分布の単一光子ソース

20

-


DCR

kHz

温度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、光学 PRF 1 MHz、PDE = 20%

-

-

20*

APP


温度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、光学 PRF 1 MHz、PDE = 20%

-

-

1× 10-3

Tj

ps

度:-45℃、ゲート幅 1 ns、ゲート PRF 2 MHz、PDE = 20%

-

-

100

*異なるグレードおよび仕様の製品を提供


室温 IV カーブ


P2.png


DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

P3.png


温度係数

P4.png


静電容量と電圧

P5.png

応用 / 用途

·  微弱光検出

·  量子暗号通信

·  バイオメディカル分野


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