Siピグテイルフォトダイオード

応答波長範囲: 400～1100nm、円形アクティブ径：1 mm 受光感度：0.23 A/W（@1060 nm）

型番 : PL-1100-SI-AR1-FSA-TO

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概況
電気／光学特性
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RFQ

本デバイスは、複合 Si-PIN 構造を採用しています。
高い応答性を実現するため、裏面ホールエッチングプロセスにより I 層を薄膜化。
キャリアがフローティング領域を通過する際に光電流が発生します。
また、低速キャリアを短絡することで高速応答を実現しています。

さらに、当社独自の特許パッケージ設計「Bullet」を採用。
異なる波長に最適化された 2 種類のチップを組み合わせた構造です。

Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定Circle チップ

パラメータ	記号	テスト条件	最小値	典型値		最大値		単位
感度スペクトル	λ	-	400～1100					㎚
Circleチップ有効径	φ	-	0.2	0.5	1	2	4	mm
受光感度	Re	λ=1060nm,VR=40V	0.2	0.2	0.2	0.23	0.23	A/W
応答速度	Tr	RL=50Ω,VR=40V	2	5	6	8	12	ns
逆耐圧	VBR	IR =10µA	80	100	80	100	100	Ⅴ
暗電流	ID	VR = 40V	1	5	8	10	40	nA
静電容量	C	F=1MHZ,V R =40V	0.5	0.8	2	5	12	PF
動作電圧	ⅤR	-	40					V

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

Square チップ

パラメータ	記号	テスト条件	最小値	典型値		最大値		単位
感度スペクトル	λ	-	400～1100					㎚
Circleチップ有効径	φ	-	1x1	4x4	1.3x1.3	2x2	3x3	mm
受光感度	Re	λ=635nm,VR=10V	0.38					A/W
応答速度	Tr	RL=50Ω,VR=10V	25	100	45	50	50	ns
逆耐圧	VBR	IR =10µA	50					Ⅴ
暗電流	ID	VR = 10V	3	15	3	5	7	nA
静電容量	C	F=1MHZ,V R =10V	15	350	50	300	500	PF
動作電圧	ⅤR	-	10					V

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

典型特性曲線

受光感度（R）［A/W］

円形チップ波長 λ（nm）

受光感度（R）［A/W］

角形チップ波長 λ（nm）

静電容量-電圧特性曲線

capacitance

Voltage（V）

応用回路

関連

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
0.4-1.1µm SMピグテイルフォトダイオード [PDF]	PL-1100-SI-AR4-FSA	応答波長範囲: 0.4～1.1 µm、有効受光径: φ4 mm、応答速度: 12 ns ファイバ結合: SMF-28E、コネクタ: FC/APC	応答波長: 400-1100nm 材質: Si 有効領域 / 受光面積: 4mm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
0.4-1.1µm PMピグテイルフォトダイオード [PDF]	PL-1100-SI-AR4-FPA	応答波長範囲: 0.4～1.1 µm、有効受光径: φ4 mm、応答速度: 12 ns ファイバ結合: PM Fiber、コネクタ: FC/APC	応答波長: 400-1100nm 材質: Si 有効領域 / 受光面積: 4mm リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
Siピグテイルフォトダイオード [PDF]	PL-1100-SI-AR4X4-FSA	応答波長範囲: 0.4～1.1 µm、有効受光面積: 4 × 4 mm、応答速度: 100 ns ファイバ結合: SMF-28E、コネクタ: FC/APC	応答波長: 400-1100nm 材質: Si 有効領域 / 受光面積: 45um リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
Siピグテイルフォトダイオード [PDF]	PL-1100-SI-AR4X4-FPA	応答波長範囲: 0.4～1.1 µm、有効受光面積: 4 × 4 mm、応答速度: 100 ns、ファイバ結合: PM Fiber結合、コネクタ: FC/APC	応答波長: 400-1100nm 材質: Si 有効領域 / 受光面積: 45um リードタイム: 在庫あり	[お問い合わせください] Call us
Siピグテイルフォトダイオード [PDF]	PL-1100-SI-AR1-FSA-TO	応答波長範囲: 400～1100nm、円形アクティブ径：1x1mm 受光感度：0.38A/W（@635nm）	応答波長: 400-1100nm 材質: Si 有効領域 / 受光面積: 1x1mm リードタイム: 約3～4週間	[お問い合わせください] Call us

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