| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
● 冷却型 4 × 100Gbps EMLレーザー
● 各レーン 106.25Gb/s PAM4変調対応
● シングルモードファイバー(SMF)にて最大30 km伝送可能
● 50Ωシングルエンドに良好なインピーダンス整合
● ケース温度:-5 ~ 75°C
● TECによる温度制御
● フレキシブル回路電気インターフェース
● LCレセプタクル
● RoHS 2.0対応
特に記載がない限り、すべてのパラメータは初期特性(BOL)値であり、TOSAケース動作温度25°Cにおいて規定されています。
パラメータ | 記号 | 測定条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 |
L0ピーク波長 | λ0 | Ibias=90mA Tld=45~60℃, Vea=0V | 1304.06 | 1304.58 | 1305.1 | nm |
L1ピーク波長 | λ1 | 1306.33 | 1306.86 | 1307.38 | nm | |
L2ピーク波長 | λ2 | 1308.61 | 1309.14 | 1309.66 | nm | |
L3ピーク波長 | λ3 | 1310.9 | 1311.43 | 1311.96 | nm | |
順方向電圧 | Vf | CW, If=Iop | 2.0 | V | ||
しきい値電流(レーザー) | Ith | CW BOL | 35 | mA | ||
動作電流 | Iop | Tld=50℃ | 90 | 110 | mA | |
トラッキングエラー | TE | CW, -5~75℃ | -1 | 1 | dB | |
各レーン平均出力パワー | Pave | CW, Tld=45~60℃, Ibias=90mA, Vea=0V | 6 | 12 | dBm | |
レーン間出力差 | Delta P | CW BOL | 0 | 3 | dB | |
光リターンロス | ORL | -5~75℃ | 20 | dB | ||
レーザー動作温度 | Tld | Ibias=90mA, Vea =0V | 45 | 50 | 60 | °C |
EAモジュレータ電圧 | Vmod | -3 | 0 | V | ||
サイドモード抑圧比(SMSR) | SMSR | Ibias=90mA Tld=50℃, Vea =0V | 32 | dB | ||
消光比 | ER | Iop=90mA | 5 | dB | ||
送信および分散によるアイ閉塞(PAM4 TDECQ) | TDECQ | 3.9 | dB | |||
サーミスタ抵抗値 | Rth | 25℃ | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
絶対最大定格
動作範囲を超えた条件では、モジュールの性能は保証されません。下記の限界値を超えた場合、モジュールに永久的な損傷を与える可能性があります。
パラメータ | 記号 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
保存温度 | Ts | -40 | 85 | °C |
ケース動作温度 | Top | -5 | 75 | °C |
光出力 | Pf | 10 | mW | |
相対湿度 | RH | 5 | 85 | % |
TEC駆動電流 | Itec | 1 | A | |
TEC駆動電圧 | Vtec | 3.3 | V | |
フレックスパッドはんだ付け温度(10秒以内) | 260 | ℃ |
(*) 局所加熱のみ。パッケージ本体の温度は85°Cを超えてはならない。120°Cへの温度上昇は60秒間まで許容される
Unit mm

DC | RF | ||
ピン番号 | ピン機能 | ピン番号 | ピン機能 |
1# | GND | 18# | GND |
2# | PD- | 19# | GND |
3# | RTH | 20# | EA 0 |
4# | PD 0+ | 21# | GND |
5# | LD 0+ | 22# | GND |
6# | LD 1+ | 23# | EA 1 |
7# | PD 1+ | 24# | GND |
8# | GND | 25# | GND |
9# | LD 2+ | 26# | EA 2 |
10# | PD 2+ | 27# | GND |
11# | LD 3+ | 28# | GND |
12# | PD 3+ | 29# | EA 3 |
13# | TEC- | 30# | GND |
14# | TEC- | 31# | GND |
15# | TEC+ | ||
16# | TEC+ | ||
17# | TEC+ | ||
● SFP+
● XFP ER
● ZR