InGaAs モニタPINフォトダイオード     


MPD250I 製品は、P 極と N 極が反対に配置された InGaAs モニタ PIN フォトダイオード(MPD)です。
大きな正方形の感光窓を備え、低容量、920~1650 nm 波長領域での高感度、低暗電流を特徴としています。
本製品は、レーザのバックライト電流のモニタリング用に設計されています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
InGaAs モニタ ピン PD   [PDF]  [RFQ]

MPD250I
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パラメータ


特長

● 動作温度範囲:-40℃ ~ 85℃
● 応答波長範囲:920 nm ~ 1650 nm
● 低暗電流
● RoHS 対応
● Telcordia GR-468 準拠


仕様

特性(Tc=25℃、特別な場合を除く)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

試験条件

波長

λ

920

-

1650

nm

-

 感度

R

0.85

-

-

A/W

1310nm, 1µw, Vr= -5V

 ブレークダウン電圧

Vbr

30

-

-

V

Ir= -10uA

  暗電流

Id

-

-

5

nA

Vr= -5V

 静電容量

C

-

-

6

pF

Vr= -5V, 1MHz

 

絶対最大定格

本仕様を超えて使用すると、フォトダイオードチップに永久的な損傷を与えるか、長期信頼性に影響を及ぼす可能性があります。
定格最大条件での長期曝露も、チップの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

パラメータ

記号

単位

最小値

最大値

 保存温度

Ts

°C

-40

125

 動作温度

To

°C

-40

85

 順方向電流

If

mA

-

10

 逆方向電流

If

mA

-

-10

 逆方向電圧

Vr

V

-

-20

 静電気放電(ESD)

ESD

V

500

-


寸法

tu2.jpg

長さ × 幅 × 高さ = 280 µm(L)× 280 µm(W)× 150 µm(H)公差:±15 µm

 

取扱い上の注意

● ベアチップは静電気に極めて敏感なデバイスです。損傷防止のため、十分な静電気対策を実施してください。

● リン化インジウム(InP)デバイスは脆性材料です。ピンセットの使用は避け、平型真空ノズルを使用してください。

● 感光窓には絶対に触れないでください。

● ESD / EOS に関する注意事項

● 瞬間的な電流または電圧の印加により、過大な電気的ストレスが加わるとチップが破損する恐れがあります。また、静電気対策不足、不適切な電源投入シーケンス、電源の異常、または接触不良などによっても破損が生じる場合があります。

● 正しい電源投入シーケンス

1.すべてのグランド配線を接続

2.負電圧を接続

3.正電圧を接続

4.その他の配線を接続

● 電源遮断時は、上記電源投入シーケンスと逆の順序で行ってください。


応用 / 用途

● レーザ後端面出力モニタ


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