| 名称 | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
● InGaAs/InP リッジ導波路構造
● 優れた波長均一性
● 動作温度範囲:-40℃~85℃
● FTTX 光ネットワーク向け 2.5Gb/s 速度対応
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
出力光パワー Po | T=25℃ IOP =Ith+20mA | 5.0 | 6.0 | - | nm |
しきい値電流Ith | T=25℃ | - | 8.5 | 13 | mA |
T=85℃ | - | 25 | 35 | mA | |
傾き効率 SE | T=25℃ | 0.25 | 0.30 | - | W/A |
T=85℃ | 0.15 | 0.20 | - | W/A | |
中心波長 (λ₀) | T=25℃ IOP =Ith+20mA | 1530 | 1550 | 1570 | nm |
スペクトル幅 AX (FWHM) | IOP =2XIth | - | - | 3.5 | nm |
バックサイド光パワー Pb | T=25℃ IOP =Ith+20mA | 0.2 | 0.4 | - | mW |
放射ビーム角( FWHM) | 9丄丄 | - | 45 | 50 | deg |
9//// | - | 25 | 30 | deg | |
順方向電圧 Vf | Iop=50mA | - | 1.2 | 1.5 | V |
テスト曲線(典型値)


Unit (mm)

パラメータ | 記号 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
動作温度 | TC | -40 | +85 | ℃ |
保存温度 | Tst | -40 | +125 | ℃ |
出力光パワー | P max | 20 | mW | |
逆方向電圧 | VR | -2 | V | |
順方向電流 | IF | 150 | mA | |
静電気耐圧(ESD電圧 | ≥500 | V | ||
● 通信(Telecommunication)
● データ通信(Data Communication)
● ストレージエリアネットワーク(SAN)
● 都市圏ネットワーク(MAN)
● パッシブ光ネットワーク(PON)
FP-Chips-☆-A8▽-W□□□□
☆ :出力
A:6mW
▽:波長許容範囲
1:±1nm
2:±2nm
3:±3.5nm
□□□□:波長
974: 974nm
*****
980: 980nm
1550: 1550nm