1550 nm FPレーザーダイオードチップ     


本レーザーは 半導体 InGaAsP FPレーザー で、1550nm 波長で動作します。デバイスは チップ および レーザーバー 形式で提供可能です。
高性能かつ高信頼性のレーザーであり、各種光ファイバ通信ネットワーク および データセンター の用途に適しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
1550nm FPレーザ チップ   [PDF]  [RFQ]

FP-Chips-A-A83-W1550
[お問い合わせください]

パラメータ


特長

● InGaAs/InP リッジ導波路構造
● 優れた波長均一性
● 動作温度範囲:-40℃~85℃
● FTTX 光ネットワーク向け 2.5Gb/s 速度対応


電気・光学特性(E/O特性)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

出力光パワー Po

T=25℃

IOP =Ith+20mA

5.0

6.0

-

nm

しきい値電流Ith

T=25℃

-

8.5

13

mA

T=85℃

-

25

35

mA

傾き効率 SE

T=25℃

0.25

0.30

-

W/A

T=85℃

0.15

0.20

-

W/A

中心波長 (λ₀)

 T=25℃

IOP =Ith+20mA

1530

1550

1570

nm

スペクトル幅 AX (FWHM)

IOP =2XIth

-

-

3.5

nm

バックサイド光パワー Pb

T=25℃

IOP =Ith+20mA

0.2

0.4

-

mW

放射ビーム角( FWHM)

9丄丄

-

45

50

deg

9////

-

25

30

deg

順方向電圧 Vf

Iop=50mA

-

1.2

1.5

V


テスト曲線(典型値)


2345截图20210428161625.jpeg

2345截图20210428161650.jpeg

パッケージサイズ

Unit (mm)

746e7591-ebf6-49e0-a9e4-a42a7e42d5b4.jpg


パラメータ

記号

最小値

最大値

単位

 動作温度

TC

-40

+85

保存温度

Tst

-40

+125

出力光パワー

P max


20

mW

逆方向電圧

VR


-2

V

順方向電流

IF


150

mA

 静電気耐圧(ESD電圧

≥500

V


応用 / 用途

● 通信(Telecommunication)
● データ通信(Data Communication)
● ストレージエリアネットワーク(SAN)
● 都市圏ネットワーク(MAN)
● パッシブ光ネットワーク(PON)

注文情報

FP-Chips-☆-A8▽-W□□□□

☆ :出力

A:6mW

▽:波長許容範囲

1:±1nm

2:±2nm

3:±3.5nm

□□□□:波長

974: 974nm

*****

980: 980nm

1550: 1550nm


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