800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ(固定利得)     


LD-PD PTE.LTD製のInGaAsバイアスフォトダイオードは、感度波長範囲が500nm~2600nmで、極めて低ノイズ、応答速度が高速、ゲインなし、低コストで、従来の光検出用途に適しています。優れた性能と高いコストパフォーマンスを有し、全方向の技術サポートも提供されます。可視光および赤外光の測定に広く使用されています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
800–1700nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ-固定ゲイン   [PDF]  [RFQ]

PDJAF8J5-S
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パラメータ


特長

·  800nmから1700nmの感知範囲、近赤外線測定に多く使用される

·  増幅型検出器、固定利得、定量的な光電変換

·  十分な利得を確保

·  高帯域幅性能を同時に保証し、弱い光強度と高速を必要とする光電検出アプリケーションの開発に適している

·  優れた性能と高いコストパフォーマンス、包括的な技術サポート

·  非標準カスタマイズサービスを提供


主要パラメータ

パラメータ

波長範囲

800-1700nm

900-2600nm

 受光部サイズ

Φ0.5mm

Φ150um

Φ0.5mm

Φ2.0mm

Φ1.0mm

 帯域幅

DC~150MHz

DC~380MHz

DC~20Hz

DC~5MHz

DC~25MHz

  利得

Hi-Z負荷:10kV/A;

50Ω 負荷:5kV/A

Hi-Z 負荷: 5×104V/A;

50Ω負荷:2.5×104V/A

1×1011V/A±10%

Hi-Z 負荷:500kV/A;

50Ω 負荷: 175kV/A

Hi-Z負荷: 1×104V/A;

50Ω 負荷:5×103V/A

信号振幅

Hi-Z 負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

Hi-Z負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

0~10V

Hi-Z 負荷:0~10V;

50Ω 負荷:0~3.5V

Hi-Z負荷: 0~10V;

50Ω 負荷: 0~5V

NEP

1.2×10-11W/Hz1/2

1.0 × 10-13W/Hz1/2

2×10-14W/Hz1/2

2.2×10-11W/Hz1/2

1.1×10-11W/Hz1/2

受光面深さ

0.13" (3.3 mm)

0.16" (4.1 mm)

0.07" (1.8 mm)

0.15" (3.7 mm)

0.09" (2.2mm)

動作温度

10-40℃

10-50℃

 保管温度

-20-70℃

-25-70℃

  検出器本体重量

0.10kg

0.06kg

0.10kg

 外観寸法

2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.8" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

  電源インターフェース

電源

電源スイッチ

信号インターフェース

取り付け用インターフェース

光学インターフェース

 LUMBERG R SMV3 メスコネクタ

LDS12B(DP)、±12 VDC レギュレーテッド リニア電源、6W、220VAC

スライディングスイッチ(LEDインジケータ付き

BNC メスソケット

M4×2

SM1× 1

SM0.5 × 1

 

応答カーブ


20250518-155005.png

寸法

20250518-155006.png

応用 / 用途

● 近赤外線測定


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