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  • 800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（固定利得）

    • 800〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（固定利得）     


    The InGaAs amplified photodetector has a sensitive range of 800nm~1700nm, fixed gain, and can achieve quantitative photoelectric conversion. It has sufficient gain while ensuring high bandwidth performance. It is suitable for the development of photoelectric detection applications with weak light intensity and fast speed. It has excellent performance and high cost performance. It provides omnidirectional technical support and is often used in near-infrared light measurement.



    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    800–1700nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ-固定ゲイン   [PDF]  [RFQ]

    PDJAF8J5-S
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    パラメータ


    特長

    ● Sensing range of 800nm to 1700nm, often used in near-infrared light measurements

    ● Amplified detector, fixed gain, quantitative photoelectric conversion

    ● With sufficient gain

    ● At the same time, it guarantees high bandwidth performance and is suitable for the development of photoelectric detection applications with weak light intensity and fast speed

    ● Excellent performance, high cost performance, and comprehensive technical support

    ● Provide non-standard customization services

    主要パラメータ

    Parameters

    Value

    Wavelength range

    800-1700nm

    900-2600nm

    Photosensitive size

    Φ0.5mm

    Φ150um

    Φ0.5mm

    Φ2.0mm

    Φ1.0mm

    Bandwidth range

    DC～150MHz

    DC～380MHz

    DC～20MHz

    DC～5MHz

    DC～25MHz

    Gain

    Hi-Z Load:10kV/A；

    50Ω Load:5kV/A

    Hi-Z Load: 5×104V/A；

    50Ω Load:2.5×104V/A

    1×1011V/A±10%

    Hi-Z Load:500kV/A；

    50Ω Load: 175kV/A

    Hi-Z Load: 1×104V/A；

    50Ω Load:5×103V/A

    Signal Amplitude

    Hi-Z Load: 0～10V；

    50Ω Load: 0～5V

    Hi-Z Load: 0～10V；

    50Ω Load: 0～5V

    0~10V

    Hi-Z Load:0～10V；

    50Ω Load:0~3.5V

    Hi-Z Load: 0～10V；

    50Ω Load: 0～5V

    NEP

    1.2×10-11W/Hz1/2

    1.0 × 10-13W/Hz1/2

    2×10-14W/Hz1/2

    2.2×10-11W/Hz1/2

    1.1×10-11W/Hz1/2

    Sensitive Surface depth

    0.13" (3.3 mm)

    0.16" (4.1 mm)

    0.07" (1.8 mm)

    0.15" (3.7 mm)

    0.09" (2.2mm)

    Operating temperature

    10-40℃

    10-50℃

    Storage temperature

    -20-70℃

    -25-70℃

    Detector Net Weight

    0.10kg

    0.06kg

    0.10kg

    Appearance Dimensions

    2.79" X 2.07" X 0.89" (70.9 mm X 52.5 mm X 22.5 mm)

    2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

    2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

    2.79" X 1.96" X 0.8" (70.9 mm X 49.9 mm X 22.5 mm)

    2.79" X 1.96" X 0.89" (70.9 mm X 49.8 mm X 22.5 mm)

    Power Interface

    Power supply

    Power Switch

    Signal Interface

    Mounting Interface

    Optical Interface

    LUMBERG  R SMV3  FEMA LE

    LDS12B(DP), ±12 VDC regulated linear power supply, 6W, 220VAC

    Sliding Switch

    With LED Indicator

    BNC Female socket

    M4×2

    SM1×1

    SM0.5 ×1


    Responsivity Curve

    20250518-155005.png

    寸法

    20250518-155006.png

    応用 / 用途

    ● Near-infrared light measurement



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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