Φ1mm InGaAs APD 四分割フォトディテクタチップ     


InGaAs APD 四象限フォトダイオードチップは、高性能な近赤外検出用デバイスです。分光感度範囲は0.9~1.7μmで、微弱光に対して高い検出感度を有し、さらに空間分解能が高く、応答速度にも優れています。
これにより、光軸の位置合わせや精密変位測定、振動検出、角度検出、さらには誘導システムなど、精度が求められる用途に幅広く使用されています。
パラメータ




製品 モデル


名称 モデル 価額
InGaAs APD 四象限検出チップ   [PDF]  [RFQ]

OVQT-QA1000
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パラメータ


特長

·  平面構造の正面図

·  四分割間隔が小さく、クロストークが低い

·  低暗電流・高信頼性

·  チップ品および TO パッケージに対応


仕様

型番r:OVQT-QA1000

パラメータ

記号

単位

測定条件

最小値

典型値

最大値

 感光面直径


μm 

-

1000

  象限間隔

d

μm 

-

100

  逆バイアス破壊電圧

VBR

Vm

R = 100 µA、無光状態

40

-

60

 感度

Re

A/W

1550nm,1μW  M=1

0.9

-

-

 応答時間

t

ns

F=1MHz,RL=5Ω

-

1.5

3

 暗電流

ID

nA

M=10

-

25

100

 クロストーク

SL


M=10

-

10%

-

  静電容量

C

pF

F=1MHz,M=10

-

12

15

  最大増幅利得(MAG)

M

V

VBR_1

20

-

-

 破壊電圧温度係数

n

V/℃

-40~+85℃

-

0.1

0.15

品質の信頼性: 本製品は、製品信頼性に関する Telcordia GR-468-CORE の要件を満たしています。

 

絶対最大定格

  パラメータ

記号

定格

動作温度

TC

-50+85℃

 逆動作電圧

VR

0.99Vbr

順方向電流

IF

10mA

 逆方向電流

IR

2mA


パッケージサイズ

Unit: μm 

20230429095145.jpg

品番

チップサイズ(±10 µm)

受光面サイズ(±2 µm)

パッド直径(±2 µm) 

チップ厚さ(±5 µm)

OVQT-QA1000

1250×1250 

1000 

80

150


応用 / 用途

·  アイセーフレーザー誘導、コリメーション、ナビゲーションなど

·  自由空間光通信(FSO)

·  精密加工をはじめとする各種産業用制御分野


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