850~910nm 56G baud PINチップ     


LP-PD5032 56Gbaud 高速PINフォトダイオードチップLP-PD5032は、次世代光通信の厳しい要求に対応するために設計された高性能850~910nm PINフォトダイオードチップです。本チップはGSG(Ground-Signal-Ground)電極構造を採用し、32 μmの受光領域を有しており、高速データ伝送を実現しながら信号干渉を最小限に抑えます。



製品 モデル


名称 モデル 価額
850~910nm 56G baud PINチップ   [PDF]  [RFQ]

LP-PD5032
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パラメータ


特長

·  最大34 GHz / channel の帯域幅

·  850~910nm対応の反射防止(AR)コーティング

·  φ32 μm の受光径

·  低容量

·  GSG電極構造


仕様

  パラメータ

記号

最小値

代表値

最大値

単位

条件

 応答波長範囲

λ

840

850

910

nm


  受光感度)

 

R


0.55


A/W

λ=850nm


0.65


A/W

λ=910nm

 暗電流

ID


0.3

1.0

nA

VR=-5V

  容量

C


0.12

0.15

pF

VR=-2V, f= 1MHz

 帯域幅

Bw


34.0


GHz

VR=-2V 3dB down, RL=50Ω

Note:(Tc = 25℃、シングルダイ)


絶対最大定格

パラメータ

記号

単位

逆電圧

VRmax

20

V

動作温度

Topr

-40 to +85

保存温度

Tstg

-55 to +125


寸法

寸法図(µm)

20260408-193421.jpg


寸法パラメータ

パラメータ

記号

単位

受光径

D

32

µm

ボンディングパッドサイズ

-

60 x 70

µm

ダイオードピッチ

-

250x250

um

チップ厚さ

t

150 ± 10%

µm


使用上の注意
本チップは静電気放電(ESD)による損傷を受けやすいため、InGaAsまたはGaAs PIN/APDチップの取り扱いおよび試験時には、アースストラップ、静電防止マット、その他標準的なESD保護装置を使用してください。


応用 / 用途

● 100Gbps PAM4

● 200Gbps SFP+

● 4x100Gb ps QSFP


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