·  中心波長：1290 ～ 1330nm

·  自発光光源、リップル低減

·  広帯域光源、スペクトル幅 > 40nm

·  低偏波消光比

電気／光学特性（Tsub=25°C、CW）

取り扱い手順

1. 推奨ボンディング条件

●ボンディング温度：320℃

●ボンディング圧力：30 g（40 gを超えないこと）

●圧力と温度は徐々に加えること

●ボンディング時間：≤ 10秒

2. 推奨バーンイン条件

条件 1

●チップヒートシンク温度：100℃

●電流：100 mA

●時間：24時間

●合格基準：BI 0 hr の LIV1 と BI 24 hr の LIV2 を比較

●ΔIth (T=25℃) ≤ 1 mA、ΔPf(T=25℃) ≤ 10％

条件 2

●チップヒートシンク温度：100℃

●電流：100 mA

●時間：24時間＋48時間

●合格基準：BI 24 hr の LIV1 と BI 24 hr+48 hr の LIV2 を比較

●ΔIth (T=25℃) ≤ 0.7 mA、ΔPf(T=25℃) ≤ 10％

注意

·  絶対最大定格を超える応力は、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。

·  これらはあくまで絶対最大応力定格であり、デバイスがその条件下で正常に動作することを保証するものではありません。

·  絶対最大定格に長時間さらされると、デバイスの信頼性に悪影響を及ぼす可能性があります。

·  光ファイバージャイロスコープ

·  光干渉断層撮影（OCT）

·  光学試験装置

·  光ファイバー通信

SLD-Chips-☆-A8▽-W□□□□

☆:出力

A: 2mW

B: 3mW

▽: 波長許容範囲

1: ±5nm

2: ±10nm

□□□□: 波長

1310: 1310nm

*****

1315: 1315nm