850nm・10GHz リチウムニオベート強度変調器     


850 nm リチウムニオベート(LiNbO₃)高強度変調器は、陽子交換プロセス によりマッハ–ツェンダ型光導波路を作製しています。
入出力素子は導波路に正確に斜め結合されており、リチウムニオベート材料の電気光学効果を利用することで、光信号の強度変調を実現しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
850 nm 10 GHz リチウムニオベート(LiNbO₃)強度変調器   [PDF]  [RFQ]

IM-850-10G-P-P-FA-FA
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パラメータ


特長

·  低半波電圧

·  低挿入損失

·  プロトン交換型導波路

·  優れた長期安定性


仕様

パラメータ

単位

光学特性

 動作波長

nm

780~890

 挿入損失

dB

≤4.5

 最大入力光パワー

mW

10

  光リターンロス

dB

≤-55

  残留強度変調(RIM)

-

≤0.3%

電気特性

  RF 半波電圧 @50 kHz

V

≤2.5

  最大入力RF電力

dBm

33

  動作周波数

GHz

0.01~10

 帯域幅(−3 dB)

GHz

10

  電気的反射

dB

≤-10

機械特性

 光コネクタ

-

FC/APCまたは  FC/PC

 電気コネクタ

-

SMA または K(2.92mm)

  ピグテールファイバ種類

-

PM または SM Fiber

環境特性

  動作温度

0~+70

 保存温度

-55~+85

 

信号変調

850nm 10GHz Lithium Niobate Intensity Modulator 1.png


寸法およびピン定義

2.5.png

1

グラウンド

2

バイアス

3

N/C

4

N/C


応用 / 用途

·  低挿入損失

·  プロトン交換型導波路

·  優れた長期安定性


注文情報

IM-W-BW-Y-Z-AB-CD

IM: インテンシティモジュレーター
W 波長:
0850: 850nm
1064: 1064nm
1310: 1310nm
1550: 1550nm
BW: 帯域幅
0.3G: >300MHz
10G: >10GHz
Y: 入力ファイバー
P: PMファイバー
S: SMファイバー
Z: 出力ファイバー
P: PMファイバー
S: SMファイバー
AB: 入力ファイバーコネクタ
00: ベアファイバー
FA: FC/APC
FC: FC/SPC
CD: 出力ファイバーコネクタ
00: ベアファイバー
FA: FC/APC
FC: FC/SPC


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