20GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧(ベンド型)     


薄膜型ニオブ酸リチウム光変調器(TLNMシリーズ)は、1.5V未満の極めて低い駆動電圧と最大110GHzの広帯域動作を実現し、従来のニオブ酸リチウム変調器と比較して、優れた効率と高性能を提供します。薄膜LiNbO₃技術を活用した低サイズ化された導波路構造により、RF-to-Optical変換が最適化され、超高周波帯の電気信号-光信号変換アプリケーションに適しています。

マイクロヒーターおよびフォトダイオードを内蔵したバイアス制御機構により、高度なフィードバック制御を通じて安定した光バイアス動作を保証します。高速変調はSMA RFコネクタによって実現され、バイアス制御は専用ピンによって行われます。また、オプションで自動バイアスコントローラにも対応し、さらなる安定性を確保できます。用途に応じたカスタム設計にも対応可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
20 GHz 低駆動電圧 TFLN ファイバ光強度変調器(ベンド型)   [PDF]  [RFQ]

AM20
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パラメータ


特長

● Xカット薄膜LiNbO₃導波路
● 動作波長:1530〜1610 nm
● 帯域幅:65 GHz以上
● 低駆動電圧
● シングルエンド駆動(オプション)


仕様

製品仕様(明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施)

パラメータ

記号

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

動作帯域幅

S21

2 GHz から


20


GHz

反射損失

S11



-10


dB

動作波長

λ



1550


nm

挿入損失

IL

1550 nm CW, 0 dBm

4

4.5

5

dB

消光比

ER



20


dB

半波電圧

1550 nm CW, f = 50 kHz


1.3

3.5

V


絶対最大定格

パラメータ

記号

定格値

単位

入力光パワー

Ps,o

23

dBm

入力光反射損失

Ps,rf

23

dBm

TEC電圧

VH

±8

V

  動作温度

TW

-40  +85

保管温度

TS

-40  +85


寸法およびピン定義

Thin Film Lithium41.png

ピン接続

ピン

記号

備考

RFポート

RFIN

  1.85 mm コネクタ

光ファイバー入力

OPIN

 FC/APC、(PMF)

光ファイバー出力

OPOUT

  FC/APC、(SMF)

DCバイアスライン1

PIN1

 TEC 正極

DCバイアスライン2

PIN2

  TEC 負極

DCバイアスライン3

PIN3

 出力MPD 正極

DCバイアスライン4

PIN4

 出力MPD 負極

DCバイアスライン5

PIN5

/


応用 / 用途

● デジタル伝送
● アナログ伝送
● 高周波光ファイバーリンク
● ディレイライン・テレメトリーシステム


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