1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4アレイフォトディテクターチップ     


This product is a 1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4 array photodetector chip that performs photoelectric conversion and is suitable for applications in data communication, microwave photonics, and related fields.



製品 モデル


ネーム モデル 価額
1310nm 100Gb/s InGaAs 1×4 Array Photodetector Chip   [PDF]  [RFQ]

APC-1310-1x4-100
(Stock NO. Not entered)
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パラメータ


特長

● Low capacitance

● Low dark current

● High responsivity

仕様

Test conditions: 25 °C, unless otherwise specified

Parameters

Symbol

Test condition

Min

Typ

Max

Unit

Operating   Temperature

T0


0


75

Storage Temperature

Ts


-40


85

Operating   Wavelength

λ



1310


nm

Bias Voltage

Vb



3

6

V

Active Area Diameter

Ф



20


μm

Responsivity

R

λ = 1550 nm, Vb= 3 V


0.76


A/W

Dark Current

Id

Vb= 3 V


0.2

1.0

nA

Capacitance

C

Vb= 3 V


80


fF

Series Resistance

Rs



10


Ω

3 dB Bandwidth (50Ω Load)

BW

Ps,o = 0 dBm, Vb= 3 V


24


GHz

寸法およびピン定義


1310nm 100Gb.png


Outline

Min

Typ

Max

Unit

Length

1050

1100

1150

μm

Width

240

290

340

μm

Thickness

140

150

160

μm


Precautions for Use

● Necessary ESD protection measures should be taken to prevent the chip from electrostatic damage.

● Extreme care is required when handling the chip, and vacuum suction is recommended for chip handling.

● Parameters such as wire bonding force and temperature must be set carefully to avoid damaging the chip.


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