Φ1–5 mm 低容量・大面積 InGaAsフォトダイオードチップ

概要
特長
仕様
応用 / 用途

InGaAs PIN photodiode series chips with low capacitance and large photosensitive surface are front-facing planar structures, and provide various models with φ1mm, φ2mm, medium 3mm, φ5mm circular photosensitive surfaces and 1.5mm×6mm square photosensitive surfaces. Some models provide low-capacitance versions with Features such as high bandwidth, high sensitivity, and high reliability can meet the requirements of hotoelectric alarm, laser.

製品モデル

ネーム	モデル	説明	パラメータ	価額
1mm InGaAs PINフォトダイオードチップシリーズ [PDF] [RFQ]	LP-LC1 (Stock NO. Not entered)	応答波長範囲：900～1700 nm、受光感度：0.65 A/W（1.064 µm時）, 0.95 A/W（1.55 µm時）、材料：InGaAs、有効受光面積：1mm、供給形態：ダイチップ（Die）、最小発注数量：100個	応答波長: 900-1700nm 材質: InGaAs 有効領域 / 受光面積: 1mm リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
5 mm InGaAs PINフォトダイオードチップシリーズ [PDF] [RFQ]	LP-LC5 Stock NO.: I80030013	応答波長範囲：900～1700 nm、受光感度：0.65 A/W（1.064 µmまたは 0.95 A/W（1.55 µm時）、材料：InGaAs、有効受光面積：5 mm、供給形態：ダイチップ（Die）、最小発注数量：100個	応答波長: 900-1700nm 材質: InGaAs 有効領域 / 受光面積: 5mm リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
3 mm InGaAs PINフォトダイオードチップシリーズ [PDF] [RFQ]	LP-LC3 Stock NO.: I80030012	応答波長範囲：900～1700 nm、受光感度：0.65 A/W（1.064 µm時）, 0.95 A/W（1.55 µm時）、材料：InGaAs、有効受光面積：3 mm、供給形態：ダイチップ（Die）、最小発注数量：100個	応答波長: 900-1700nm 材質: InGaAs 有効領域 / 受光面積: 3mm リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us
2 mm InGaAs PINフォトダイオードチップシリーズ [PDF] [RFQ]	LP-LC2 Stock NO.: I80030011	応答波長範囲：900～1700 nm、受光感度：0.65 A/W（1.064 µm時）, 0.95 A/W（1.55 µm時）、材料：InGaAs、有効受光面積：2 mm、供給形態：ダイチップ（Die）、最小発注数量：100個	応答波長: 900-1700nm 材質: InGaAs 有効領域 / 受光面積: 2mm リードタイム: 2-3 weeks	[お問い合わせください] Call us

パラメータ

特長

● Provide ultra-low low capacitance option

● Active area 1mm~5mm

● Provide chip or TO package

● Accept customized requirements

仕様

Main performance indicators

Technical indicators

Symbol

Unit

category

Model

LP-LC1

LP-LC2

LP-LC3

LP-LC5

LP-LC1.5

Typ

Max

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Min

Typ

Max

Active Area

Ordinary

φ1

φ2

φ3

φ5

1.5×6

low capacitance

Response time*

Ordinary

117

low capacitance

-3dB Bandwidth

f₃dB

MHz

Ordinary

low capacitance

150

Capacitance

Ordinary

40 @1V

130@1V

300@1V

850 @1V

1100@1V

low capacitance

25@1V

70@1V

180 @1V

400@1N

520@1V

Ordinary

30 @5V

100 @5V

200 @5V

750 @2V

960 @2V

low capacitance

15 @5V

50 @5V

100@5V

300 @2V

380 @2V

Ordinary

20 @25V

75 @25V

170@25V

600@5V

770@5V

low capacitance

10 @25V

35 @25V

90@25V

200@5V

260@5V

Reverse breakdown

voltage

Ordinary

low capacitance

Dark Current

Ordinary

low capacitance

100

Quality reliability, The product meets the requirements of Telcordia-GR-468-CORE for product reliability.

Absolute Maximum Ratings

Technical indicators	Symbol	Index value	Unit
Average forward current	I	100	mA
Total power consumption	PTon	100	mW
Average photocurrent	Ip	100	mA
Storage temperature	Tstg	-60~125	℃
Operating temperature	T	-40~85	℃
Soldering temperature	Tp	260	℃

*Pin soldering only, 5s

Technical indicators	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
Operating Voltage	Vop	0	5	VBR-5	V
Spectral range	△λ	900		1700	nm
Responsiveness	R1064	0.60	0.65		A/W
Responsiveness	R1550	0.95	1.05		A/W

応用 / 用途

● Photoelectric alarm

● Optical power meter

● Instrumentation

● Lidar

Φ1–5 mm 低容量・大面積 InGaAsフォトダイオードチップ

製品 モデル

パラメータ

関連

Φ1–5 mm 低容量・大面積 InGaAsフォトダイオードチップ

製品モデル