直流特性

 Tc = 23 ± 2 ℃

ブレークダウン電圧（Vbr）

Id=10μA

50

80

V

 受光感度（Re）

λ=1.55μm,   Vr=Vbr－2V, Φe=1μW

8

A/W

 暗電流（Id）

Vr=Vbr－2V, Φe=0μW

1

nA

  静電容量（Ctot）

Vr=Vbr－2V, f=1MHz

0.25

pF

  ブレークダウン電圧温度係数（η）

Top   = ﹣40~﹢30℃,   I=10μA, Φe=0

0.15

V/℃

ゲーマー特性

Top=0℃

  光子検出効率（PDE）

0.1ph/pulse,   λ=1.55μm

20

%

正規化暗カウント率*（DCR）

fg=100MHz,   PDE=20%

10

kHz

 アフターパルス確率（APP）

fg=100MHz,   PDE=20%

2.5

%

絶対最大定格

保存温度（Tstg）

﹣50℃～﹢85℃

  （動作）周囲温度（Tc）

﹣50℃～﹢80℃

  ハンダ付け温度（Tsld）（時間）

  260℃（10s）

 直流逆バイアス電圧（Vr）

Vbr

  過バイアスパルス振幅（Vg）

10V

  入力光パワー（Φe）（連続）

1mW

  順方向電流（If）（連続）

1mA

  静電気放電感度（ESD）

≥300V