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  • 760nm DFB レーザー O2 検知用 　TO　　　パッケージ

    • 760nm DFB レーザー O2 検知用 　TO　　　パッケージ     


    The PL-DFB-760-A-A81 760nm DFB laser diode module made by LD-PD is a cost effective, highly coherent laser source. The DFB laser diode chip is packaged in an industry standard hermetically sealed TO5 package with TEC and PD Built in.


    New Replacement:PN# PL-DFB-760-10-A81-TO39



    製品 モデル


    ネーム モデル 価額
    760nm DFB レーザー TO パッケージ   [PDF]  [RFQ]

    PL-DFB-0760-40-A81-TO5
    Stock NO.: A80011001     		[お問い合わせください]
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    パラメータ


    特長

    ● Narrow Linewidth < 2MHz

    ● Excellent wavelength control and stability

    ● Mode-Hop free tuning

    ● Excellent reliability

    ● Customer specific wavelengths available

    レーザー仕様

    Electrical/Optical Characteristics (Tsub=25°C, CW bias unless stated otherwise)

    Parameter

    Symbol

    Min

    Typ

    Max

    Unit

    Centre Wavelength

    λ

    759.0

    760.0

    761.0

    nm

    Side Mode Suppression Ratio

    SMSR

    30

    40


    dB

    Threshold Current

    Ith


    5

    10

    mA

    Operating Current

    Iop


    100

    120

    mA

    output Power Window

    Pf

    10

    40

    60

    mW

    Quantum Efficiency

    η

    0.08

    0.12


    mW/mA

    Current Tuning Coefficient

    ∆λ/∆I


    0.015


    nm/mA

    Temperature Tuning Coefficient

    ∆λ/∆T


    0.12


    nm/K

    Forward Voltage

    Vf


    1.3

    2

    V

    Thermistor Resistance

    RT

    9.5

    10

    10.5

    KΩ

    Thermistor Temp. Coefficient



    -4.4


    %/°C


    Spectrum

    图片2.png

    L-I Curve

    图片3.png

    パッケージサイズ

    图片4.png

    ピン定義

    图片5.png

    Pin

    Definitions

    Pin

    Definitions

    1

    Laser Anode (+)

    5

    Thermistor 

    2

    Laser Cathode (–)

    6

    Thermistor 

    3

    Thermoelectric Cooler (–)

    7

    PD Monitor Anode (+)

    4

    Thermoelectric Cooler (+)

    8

    PD Monitor Cathode (-) 


    Absolute  Maximum Ratings

    Item

    Unit

    Min

    Typ

    Max

    Case Temperature

      ℃

    -5

    25

    70

    Chip Temperature

    ℃

    +10

    25

    40

    Operating Current

    mA

    0

    80

    150

    Forward Voltage

    V

    0.8

    1.2

    1.8

    TEC Current

    A

    -

    -

    1.2

    Reverse Voltage（LD）

    V

    -

    -

    2.0

    Reverse Voltage(PD)

    V

    -

    -

    20

    応用 / 用途

    ● Tunable diode laser absorption spectroscopy

    ● O2 Monitoring

    注文情報

    PL-DFB-□□□□-☆-A8▽-TO5

    □□□□: Wavelength

    0760: 760nm

    1270：1270nm

    1532: 1532nm

    1392: 1392nm

    1512: 1512nm

    1567: 1567nm

    *****

    1653.7: 1653.7nm

    ☆: Output Power

    30: 30mW

    50: 50mW

    ▽: Wavelength Tolerance

    1: ±1nm

    2: ±2nm



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    10+
    10年以上の実績
    50+
    50か国以上と取引
    10000+
    累計1万台以上販売
    30+
    30件以上の特許取得実績
    1
    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
    住所: シンガポール 288 Woodlands Loop #04-00, 738100 メール: info@ld-pd.com 電話: (+65)31638599 FAX: (+65)31588700 著作権: © 2012-2025 LD-PD PTE. LTD. 無断転載禁止 LD-PD PTE. LTD. is proud to be RoHS certified through SGS and ISO9001 certified through GIC.
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