760nm DFB レーザー O2 検知用  TO   パッケージ     


LD-PD社製 PL-DFB-760-A81(760 nm DFBレーザーダイオードモジュール) は、高コヒーレンスでコスト効率に優れたレーザー光源です。DFBレーザーダイオードチップは、TECおよびモニタフォトダイオード(PD)を内蔵した業界標準の密封型TO-5パッケージに封止されています。


新規置換品: 品番 PL-DFB-760-10-A81-TO39




製品 モデル


名称 モデル 価額
760nm DFB レーザー TO パッケージ   [PDF]  [RFQ]

PL-DFB-0760-40-A81-TO5
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パラメータ


特長

● 狭いライン幅 < 2MHz

● 優れた波長制御と安定性

● モードホップなしのチューニング

● 優れた信頼性

● カスタム波長対応可能


レーザー仕様

電気・光学特性(基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作)

パラメータ

記号

最小値

典型値

最大値

単位

中心波長

λ

759

760

761

nm

SMSR

SMSR

30

40


dB

しきい値電流

Ith


5

10

mA

動作電流

  Iop


100

120

mA

チップ出力光パワー

Pf

10

40

60

mW

量子効率

η

0.08

0.12


mW/mA

電流チューニング係数

∆λ/∆I


0.015


nm/mA

温度チューニング係数

∆λ/∆T


0.12


nm/K

順方向電圧

Vf


1.3

2

V

サーミスタ抵抗

RT

9.5

10

10.5

サーミスタ温度係数



-4.4


%/℃


スペクトル

图片2.png


L-I特性カーブ

图片3.png

パッケージサイズ

图片4.png

ピン定義

图片5.png


ピン

定義

ピン

定義

1

レーザアノード(+)

5

サーミスタ

2

レーザカソード (–)

6

サーミスタ

3

TEC (–)

7

PD モニタアノード(+)

4

TEC(+)

8

PDモニタカソード (-)

 

絶対最大定格

項目

単位

最小値

典型値

最大値

ケース温度

  

-5

25

70

チップ温度

+10

25

40

動作電流

mA

0

80

150

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC電流

A

-


1.2

逆方向電圧(LD)

V

-

-

2.0

逆方向電圧(PD)

V

-

-

20



応用 / 用途

·  可変ダイオードレーザー吸収分光法

·  O2 モニタリング


注文情報

PL-DFB-□□□□-☆-A8▽-TO5

□□□□:波長

0760: 760nm

1270:1270nm

1532: 1532nm

1392: 1392nm

1512: 1512nm

1567: 1567nm

*****

1653.7: 1653.7nm

☆: 出力

30: 30mW

50: 50mW

▽: 波長許容範囲

1: ±1nm

2: ±2nm

 


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