30 GHz・850 nm フォトディテクタ     


本製品は、850 nm 波長帯における光電変換を目的とした高性能フォトディテクタです。Bias-T 回路を内蔵しており、安定した高速信号出力を実現します。3 dB 帯域幅は 30 GHz 以上、受光感度は 0.4 A/W 以上で、850 nm 光通信、先端計測機器、および関連技術分野に適しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
30 GHz・850 nm フォトディテクタ   [PDF]  [RFQ]

WOERBPL85B30
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パラメータ


特長

● 広帯域
● 低暗電流
● 高信頼性

仕様

製品仕様(特に記載がない限り、すべての試験は25℃で実施されています

パラメータ

記号

 試験条件

最小値.

代表値.

最大値

単位

動作波長

λ


800

850

910

nm

受光感度

R

 λ = 850 nm

 

0.4

0.45


A/W

暗電流

Id

 Vr = +4 V


10


nA

3 dB帯域幅

BW

Popt = 0 dBm

30



GHz

飽和入力光パワー

Psat



8


dBm


絶対最大定格値

パラメータ

記号

定格値

単位

光出力

Ps

13

dBm

順方向バイアス電圧

Vr

10

V

動作温度

Top

-40~+70

保存温度

Tstg

-55~+85



テストカーブ

30Ghz852.png




寸法およびピン定義

unit (mm)

30Ghz851.png

使用上の注意

● 静電破壊を防ぐため、適切なESD(静電気放電)対策を行ってください。

● デバイス破損防止のため、光ファイバピグテールを直接引っ張らないでください。

● 光コネクタは清潔な状態を保ち、ほこりや異物による性能への影響を防止してください。


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