SPD5526 InGaAs ガイガーモード負帰還型アバランシェフォトダイオード     


SPD5526 は、光子計数用の InGaAs アバランシェフォトダイオード(APD) デバイスで、単結晶内に 負帰還抵抗 をモノリシックに統合しています。
Geiger モードの高利得特性に基づき、検出した光子をマクロ電流に変換します。負帰還抵抗により動的電圧分割が行われ、アバランシェ電場の 自己消光(self-quenching) と 自己回復(self-recovery) が実現されます。

SPD5526 は TO-同軸ハウジング にパッケージされ、ファイバーピグテールが装備されています。光学入力インターフェースは シングルモードまたはマルチモードファイバー で、FC/UPC コネクタおよび直径 0.9 mm のタイトバッファ保護チューブが付属しています。




製品 モデル


名称 モデル 価額
InGaAs ゲイガーモード NF-APD   [PDF]  [RFQ]

SPD5526-SM-FC/UPC (1.0m)
[お問い合わせください]

パラメータ


主要パラメータ

光電特性

線形動作パラメータ

特性パラメータ

試験条件
特に指定のない場合、チップ温度(TC) = 25 ± 5 ℃

最小値.

最大値.

単位

受光スペクトル範囲

-

950

1650

nm

逆方向ブレークダウン電圧 (VBR)

ID=100nA

60

85

V

感度 (Re)

λ=1.55μm,VR=VBR-1V,φe=1μw

8

-

A/W

暗電流 (ID)

VR=VBR-1V,φe=0

-

1

nA

静電容量 (Ctot)

VR =VBR-1V,f=1MHz

-

0.6

pF

内蔵抵抗値 (Rs)

IF=200μA,φe=0

200±50

ブレークダウン電圧温度係数 (ŋ)

TC=-45~+30℃,IR =10μA,φe=0

0.10

0.15

V/℃

 

ゲイガーモードパラメータ

特性パラメータ

試験条件TC=-40±3℃,fp=50KHz)

最小値.

最大値.

単位

単一光子検出効率 (PDE)

λ=1550nm

15

-

%

暗カウント率 (DCR)

PDE=15%

-

10

kcps

アフターパルス確率 (APP)

PDE=15%,λ=1550nm,Δt=1us

-

15

%

パルス出力振幅 (Vout)

PDE=15%,R=50Ω

0.5

-

mV

注記 λ:入射光の波長 fp:光パルス信号の周波数 R:サンプリング抵抗

 

絶対最大定格および推奨動作条件

No.

パラメータ

定格値

絶対最大定格

1

保管温度 (TSTG)

-50℃~+85℃


2

動作環境温度 (Tc)

-50℃~60℃


3

はんだ付け温度 (Tstd, 時間)

260℃(10s)


4

逆方向直流バイアス電圧 (VDC)

VBR +5V


5

入力光パワー (φe, 連続)

1mW


6

順方向電流 (IF, 連続)

200μA


7

静電気耐性 (ESD)

≥300V


8

ピグテール引張強度

3.0N

 


No.

パラメータ

定格値

推奨動作条件

1

APD チップ動作温度 (Tth)

-50℃~-30℃


2

逆方向直流バイアス電圧 (VDC)

VBR+1V~VBR+5V

 

典型特性カーブ

1G1.png


        1:光電流および暗電流曲線



1G2.png

 

       図2:ブレークダウン電圧温度係数

寸法およびピン定義

パッケージ、寸法、等価回路およびピン定義(単位:mm)


1G3.png

1G4.png

注文情報

特別な指定がない場合、SPD5526 デバイスの光ファイバーインターフェースは G657A2 単一モード光ファイバー(0.9 mm タイトバッファ保護チューブ)、FC/UPC コネクタ で、光ファイバー長は 1.0 m です。したがって、詳細な注文モデルは SPD5526-SM-FC/UPC (1.0 m) となります。

注文製品で必要な光ファイバーの仕様、長さ、コネクタ等が本製品と異なる場合は、以下の形式に従ってご指定ください。

1G5.png

注意事項

●本製品は静電気に敏感なデバイスです。保管および使用時には必ずESD対策を行ってください。

●本製品の光ファイバーの曲げ半径は 30 mm 以上 としてください。保管および使用時には、ファイバーの破損や汚染、コネクタの損傷を避けてください。

●本製品は外部冷却が必要です。冷却に使用するクランプキャリアは熱伝導性に優れた材料で作られ、デバイスリード端のキャビティ壁とクランプキャリアの接触面が密着するように保持し、両接触面には熱伝導材を塗布してください。

●本製品は、清浄で換気のある環境に保管してください。腐食性ガスがなく、温度 -10〜+40 ℃、相対湿度 80%以下の環境が推奨されます。

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