LP3000F4 InGaAs 4 分割モニタ用 PD チップ

概要
特長
主要パラメータ
寸法
応用 / 用途

InGaAsクアドラントPINフォトディテクタは、高感度フォトダイオードであり、赤外線計測機器およびセンシング用途に適しています。800 nm～1700 nmの波長域において高いスペクトル応答を有します。受光面積は4×1.5 mmです。プレーナパッシベーション構造を採用しています。

製品モデル

名称	モデル	説明	パラメータ	価額
3000 InGaAs 4 分割モニタ用 PD チップ [PDF] [RFQ]	LP3000F4	応答波長範囲：900～1650 nm、有効受光面直径：3000 μm、ベアチップ	応答波長: 900-1650nm 材質: InGaAs 有効領域 / 受光面積: 3000um リードタイム:	[お問い合わせください] Call us

名称

モデル

説明

パラメータ

価額

3000 InGaAs 4 分割モニタ用 PD チップ [PDF] [RFQ]

LP3000F4

応答波長範囲：900～1650 nm、有効受光面直径：3000 μm、ベアチップ

応答波長: 900-1650nm

材質: InGaAs

有効領域 / 受光面積: 3000um

リードタイム:

[お問い合わせください]

Call us

パラメータ

特長

· Φ3500 nm 有効受光面積

· 高感度（高レスポンシビリティ）

· 低容量

· 低暗電流

· 上面入射プレーナ構造

主要パラメータ

パラメータ(Tsub = 25°C)

パラメータ	記号	最小値	典型値	最大値	単位	テスト条件
応答波長範囲	λ	900		1650	nm
感度	R	0.85	0.90		A/W	λ= 1310nm
			0.95			λ= 1550nm
			0.2			λ=850nm
暗電流	ID		52.0	10.0	nA	VR=-5V
容量	C		120	160	pF	VR=-5V, f= 1MHz

絶対最大定格

パラメータ	記号	値	単位
逆電圧	VRmax	20	V
動作温度	Topr	-40 to +85	℃
保存温度	Tstg	-55 to +125	℃

寸法

パラメータ	記号	値	単位
有効受光面直径	D	3000	µm
ボンディングパッド径	-	120	µm
ダイサイズ	-	3180x3180	µm
ダイ厚さ	t	180±20	µm

使用上の注意事項

本チップはESD（静電気放電）による損傷を受けやすい特性があります。InGaAsまたはGaAs PIN/APDチップの取り扱いや試験を行う際は、接地リストストラップ、防静電マットなどの標準的なESD保護器具の使用が必須です。

応用 / 用途

· ビームアライメント

· 光トラッキング・位置決め

· レーザー位置モニタ

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