InGaAsフォトダイオードは、900nmから1700nmまでの広範囲の波長に優れた応答を提供し、テレコムおよび近赤外線(IR)検出に最適です。75μmおよび120μmのフォトダイオードは、単一モードおよび多重モードファイバー結合用にレンズ付きキャップを備えた絶縁TO-46パッケージで提供されます。これらの2つのサイズは、アクティブアライメントFCレセプタクルとともにも提供されます。70μmのフォトダイオードは、高帯域幅のアプリケーションに最適であり、120μmのフォトダイオードはアクティブアライメントアプリケーションに最適です。3mmのフォトダイオードは、広帯域ダブルサイドARコーティングウィンドウを備えたTO-5パッケージで絶縁されており、高いシャント抵抗を持ち、弱い信号の高感度アプリケーションに適しています。
| ネーム | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
● 応答波長範囲 900nm ~ 1700nm
● パッケージはシングルモードおよびマルチモードファイバー接続に対応
● 1.3μm および 1.55μm の感度
● 高い感度
● 小面積(高速)および大面積(広範囲)の両方に対応
基板温度 Tsub = 25°C、特に記載のない限り連続波(CW)動作
パラメータ | 記号 | テスト条件 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 |
感度スペクトル | λ | - | 900~1700 | ㎚ | ||
アクティブ直径 | φ | - | 75 | µm | ||
感度 | Re | λ=1.31µm,VR=5V,Pin=10µw | 0.85 | A/W | ||
λ=1.55µm,VR=5V,Pin=10µw | 0.9 | |||||
逆方向破壊電圧 | VBR | IR =10µA | 45 | Ⅴ | ||
暗電流 | ID | VR = 5 V | 0.3 | 0.5 | nA | |
-3dB帯域幅 | BW | VR = 5 V,RL=50Ω | 1.25 | GHZ | ||
最大線形出力 | Φs | VR = 5 V,λ=1.55µm | 5 | mW | ||
総静電容量 | C | VR =5V f=1MHz | 0.7 | 1 | pF | |
シャント抵抗 | RSh | VR = 10 mV | 1 | MΩ | ||
典型特性曲線
受光感度(R)[A/W]

Wavelength, λ (nm)
P-I特性

応用回路例




絶対最大定格
動作電圧 | 15 V | 動作温度 | -50 ~ +100 ℃ | 消費電力 | 100 mW |
順電流 | 10mA | 保存温度 | -55~+125℃ | はんだ付け温度 | 260℃(10s) |
· CATV(ケーブルテレビ)
· 光学用途
· 光伝送
· 光ファイバー通信
· 光ファイバーセンサー
PL-□□□□-☆-AR▽-XX
□□□□:カットオフ波長
400:400nm
900:900nm
1700:1700nm
2100:2100nm
2400:2400nm
2700:2700nm
☆ :材料
IG:InGaAs
Si:Si
▽:アクティブエリア
0075:75um
1:1mm
2:2mm
….
5:5mm
XX: パッケージ/ファイバ及びコネクタタイプ
TO:TO46 パッケージ
FPG:FC/PC プラグ付き
FSA=SMF-28E Fiber coupled+ FC/APC
FSP=SMF-28E Fiber coupled + FC/PC
FPP=PM Fiber Fiber coupled + FC/PC
FPA=PM Fiber Fiber coupled + FC/APC
ユーザー安全
安全および操作上の注意
本デバイスは 逆バイアス電圧 下で動作します。デバイスの極性を逆にしないでください。
フォトダイオードを最大定格外で動作させると、デバイス故障や安全上の危険を引き起こす可能性があります。
この部品に使用する電源は、最大ピーク光出力 を超えないようにしてください。
ESD(静電気放電)保護
静電気放電(ESD)は、レーザーダイオードの予期せぬ故障の主な原因です。
フォトダイオードを取り扱う際は、手首ストラップ、接地された作業面、厳格な静電気防止技術を使用して、ESD防止に最大限の注意を払ってください。