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  • 400〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得）

    • 400〜1700 nm InGaAs 増幅型フォトディテクタ（可変利得）     


    本 InGaAs 検出器は、400～1700 nm の感度範囲を有し、可視光から近赤外光までの測定に広く使用されています。
    8 段階のゲイン可変機能を備えた増幅型検出器で、定量的な光電変換が可能です。
    広いダイナミックレンジを持ち、各種光電子デバイスの開発や評価など、幅広い用途に適しています。
    高性能かつ優れたコストパフォーマンスを実現しており、充実した技術サポート体制を提供しています。
    また、非標準品・カスタム仕様にも対応可能です。




    製品 モデル


    名称 モデル 価額
    400～1700nm InGaAs 増幅型、ゲイン調整可能   [PDF]  [RFQ]

    InGaAs-0.4/1.7um-1x1mm-AG8
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    パラメータ


    特長

    ·  InGaAs検出器、感度範囲は800nm〜1700nmで、近赤外光測定に一般的に使用されます；

    ·  増幅型検出器、8段階調整可能なゲイン、定量的な光電変換；

    ·  広い動的範囲、様々な光電開発シナリオに適しており、広く使用されています；

    ·  優れた性能、高いコストパフォーマンス、全方位の技術サポート；

    ·  非標準のカスタマイズサービスを提供。


    仕様

    仕様

    PN#

    InGaAs-0.4/1.7um-1X1mm-AG8

    InGaAs-0.4/1.7um-2X2mm-AG8

     分光感度範囲

    400～1700nm

      応答時間定数

    5ns

    35ns

      ゲイン

    Hi-Z load: 1.51kV/A～4.75 MV/A; 50Ω load: 0.75kV/A～2.38 MV/A

      出力信号振幅

    Hi-Z load: 0～10V; 50Ω load: 0～5V

      ゲイン調整方式

    ロータリーギア調整、0～70 dB、ギアごとに 10 dB、全 8 段。帯域幅はゲインに反比例します。

      等価雑音入力（NEP）

    1.4X10-12（W/Hz1/2）

    5.2X10-13（W/Hz1/2）

      有効受光面積

    1mm x 1mm

    2mm x 2mm

      受光面深さ

    0.13" (3.3 mm)

     検出器質量（正味）

    0.10kg

     動作温度範囲

    10～40℃

     保存温度範囲

    -20～70℃

      外形寸法

    2.79" x 2.07" x 0.89" (70.9 mm x 52.5 mm x 22.5 mm)

      電源インターフェース

    電源スイッチ

    信号インターフェース

    ゲイン調整

    Rロッドインターフェース

    光インターフェース

     電源コネクタ：LUMBERG

    スライドスイッチ

    BNC メスコネクタ

    8 段ノブ

    M4 x 2

    SM1 x 1 SM0.5 x 1

     

    8段階定量可変ゲイン設定

    0dB

    10dB

    20dB

    30dB

    ゲイン(Hi-Z)

    1.51X103V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    4.75X103V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    1.5X104V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    4.75X104V/A

    ゲイン(50Ω)

    0.75X103V/A

    ゲイン(50Ω)

    2.38X103V/A

    ゲイン(50Ω)

    0.75X104V/A

    ゲイン(50Ω)

    2.38X104V/A

    帯域幅(BW)

    13MHz

    帯域幅(BW)

    1.7MHz

    帯域幅(BW)

    1.1MHz

    帯域幅(BW)

    300kHz

    ノイズ (RMS)

    ≤250μV

    ノイズ(RMS)

    ≤250μV

    ノイズ(RMS)

    ≤250μV

    ノイズ (RMS)

    ≤250μV

    40dB

    50dB

    60dB

    70dB

    ゲイン(Hi-Z)

    1.51X105V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    4.75X105V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    1.5X106V/A

    ゲイン(Hi-Z)

    4.75X106V/A

    ゲイン(50Ω)

    0.75X105V/A

    ゲイン(50Ω)

    2.38X105V/A

    ゲイン(50Ω)

    0.75X106V/A

    ゲイン(50Ω)

    2.38X106V/A

    帯域幅(BW)

    90kHz

    帯域幅(BW)

    28kHz

    帯域幅(BW)

    9kHz

    帯域幅(BW)

    3kHz

    ノイズ(RMS)

    ≤250μV

    ノイズ(RMS)

    ≤250μV

    ノイズ (RMS)

    ≤300μV

    ノイズ (RMS)

    ≤400μV

    信号バイアス

    ±8mV(Typ.) ，±12mV(Max)

     

    スペクトル応答カーブ


    t22.1.png


    製品構成表


    t22.3.png

    応用 / 用途

    ·  Qスイッチレーザーの出力監視

    ·  モードロックレーザーの出力監視


    注文情報

    PN#

    スペクトル応答範囲

    アクティブエリア

    ゲイン範囲

    特性

    InGaAs-0.4/1.7um-1X1mm-AG8

    400～1700nm

    1mm X 1mm

    0〜70dB、8段階量子化調整可能なゲイン

    可視光から赤外までのデュアルバンド対応

    InGaAs-0.4/1.7um-2X2mm-AG8

    2mm X 2mm

    大面積検出領域




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    10+
    10年以上の実績
    50+
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    累計1万台以上販売
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    自社半導体ラボ保有
    10
    10種類以上の先進光学ソリューション提供
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