発光波長

λR

850nm

しきい値電流

Ith

1

mA

光出力

Popt

0.2

0.5

0.7

mW

しきい値電圧

Vth

1.8

V

駆動電流

Iop

5

mA

Popt = 0.3 mW

レーザー電圧

Vop

2

V

Popt = 0.3 mW

光変換効率

ηWP

12

%

Popt = 0.3 mW

傾き効率

ηs

0.3

W/A

微分直列抵抗

Rs

300

500

Ω

Popt = 0.3 mW

3dB帯域幅

V3dB

0.1

GHz

Popt =0.3 mW

ESD保護用ダイオード内蔵

相対強度雑音

RIN

-130

-120

dB/Hz

Popt = 0.3 mW @ 1 GHz

電流による波長チューニング

0.6

nm/mA

温度変化による波長チューニング

0.06

nm/K

熱抵抗（VCSELチップ）

Rthermal

3

5

K/mW

SMSR

25

dB

I  = 2 mA

ビーム発散角

θ

10

25

°

Popt = 0.3 mW 1/e² 全幅

スペクトル幅

100

MHz

Popt = 0.3 mW

TEC電流

mA

-150(Heating)

+300(Cooling)

適切な放熱器（ヒートシンク）必要

NTC熱抵抗

KΩ

9.5

10

10.5

T=25℃@10 KΩ

NTC熱抵抗

KΩ

10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

2

サーミスタ

9

N/C

3

PDモニタアノード(-)

10

N/C

4

PDモニタカソード（+）

11

レーザーアノード(+)

5

サーミスタ

12

レーザーカソード(-)

6

N/C

13

N/C

7

N/C

14

TEC (-)

ケース温度

℃

-40

25

125

チップ温度

℃

+10

25

40

動作電流

mA

0

2

2.5

順方向電圧

V

0.8

1.2

1.8

TEC 電流

mA

-150

-

+300

はんだ付け温度

℃

100

130

270

電気消費電力

mW

-

-

5