60 GHz 薄膜リチウムニオベート ファイバー光強度変調器 - 低駆動電圧(ベンド型)     


薄膜型ニオブ酸リチウム光変調器(TLNMシリーズ)は、1.5V未満の極めて低い駆動電圧と最大110GHzの広帯域動作を実現し、従来のニオブ酸リチウム変調器と比較して、優れた効率と高性能を提供します。薄膜LiNbO₃技術を活用した低サイズ化された導波路構造により、RF-to-Optical変換が最適化され、超高周波帯の電気信号-光信号変換アプリケーションに適しています。


マイクロヒーターおよびフォトダイオードを内蔵したバイアス制御機構により、高度なフィードバック制御を通じて安定した光バイアス動作を保証します。高速変調はSMA RFコネクタによって実現され、バイアス制御は専用ピンによって行われます。また、オプションで自動バイアスコントローラにも対応し、さらなる安定性を確保できます。用途に応じたカスタム設計にも対応可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
60 GHz 低駆動電圧 TFLN ファイバ光強度変調器(ベンド型)   [PDF]  [RFQ]

AM60
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パラメータ


特長

● Xカット薄膜LiNbO₃導波路
● 動作波長:1530〜1610 nm
● 帯域幅:65 GHz以上
● 低駆動電圧
● シングルエンド駆動(オプション)


仕様

製品仕様(明記がない限り、すべての試験は25°Cにて実施)

パラメータ

記号

試験条件

最小値

典型値

最大値

単位

動作波長

λ


1550 (C バンド)

nm

挿入損失

IL

1550 nm 0 dBm CW


4

4.5

dB

ハーフ波長電圧

1550 nm CW, f_mod = 50 kHz


3.3

3.5

V

3 dB 帯域幅

S21


40 / 60

GHz

消光比

ER


20



dB

戻り損失

S11




-10

dB

熱抵抗

R



80


Ω

熱電力



50


mW

入力/出力モードフィールド直径

MFD



4/9


µm

 

絶対最大定格

パラメータ

記号

定格値

単位

入力光パワー

Ps,o

23

dBm

入力光反射損失

Ps,rf

23

dBm

TEC電圧

VH

±8

V

  動作温度

TW

-40  +85

保管温度

TS

-40  +85


寸法およびピン定義

Thin Film Lithium41.png

ピン接続

ピン

記号

備考

RFポート

RFIN

  1.85 mm コネクタ

光ファイバー入力

OPIN

 FC/APC、偏波保持ファイバー(PMF)

光ファイバー出力

OPOUT

  FC/APC、単一モードファイバー(SMF)

DCバイアスライン1

PIN1

 TEC 正極

DCバイアスライン2

PIN2

  TEC 負極

DCバイアスライン3

PIN3

 出力MPD 正極

DCバイアスライン4

PIN4

 出力MPD 負極

DCバイアスライン5

PIN5

/


応用 / 用途

● デジタル伝送
● アナログ伝送
● 高周波光ファイバーリンク
● ディレイライン・テレメトリーシステム


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