垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)は、半導体レーザーの一種で、レーザー光が上面に垂直に出射される構造を持ちます。ガリウムヒ素系半導体材料を基盤として開発され、LED(発光ダイオード)やLD(レーザーダイオード)とは異なります。構造は、鏡面、活性層、金属電極層で構成されています。出射面側と背面側の二つの鏡は、それぞれP型およびN型のブラッグ反射鏡です。活性領域は量子井戸構造で形成され、P型DBRの外面には金属電極層が形成されてオーミック接触が作られ、P型DBRの中央には円形の光出射口があります。ビームは遠方場での発散角が小さく、狭くて円形のビームを形成します。閾値電流が低く、変調周波数は高く、最大で約300 kHzまで可能です。レーザー電流と温度の制御により波長のチューニングも可能です。内部にTECおよびPDを搭載したパッケージで、高速光ファイバー通信向けに特別設計されています。
| ネーム | モデル | 説明 | パラメータ | 価額 |
|---|
· 6ピン構成
· 内蔵TECにより温度安定化を実現
· 出力光パワー:1.6 mW
· シングルモード、C~Lバンド対応
条件:P = 20℃、IOP = 2.0 mA(特記ない限り)
パラメータ | 記号 | 仕様値 | ℃単位 | ||
最小値 | 典型値 | 最大値 | |||
25℃時ピーク光出力 | P | 1.0 | 1.6 | mW | |
動作バイアス電流 | Iop | 0 | 18 | 25 | mA |
動作温度範囲 | Top | -40 | 25 | 85 | °C |
閾値電流 | Ith | 8 | 18 | mA | |
スロープ効率(CW, TC = 25℃) | Se | 0.14 | 0.18 | mW/mA | |
レーザ駆動電圧 | VCC | 0 | 1.5 | 2.5 | V |
抵抗 | RS | 50 | Ω | ||
中心波長(ご注文の際に希望の中心波長をご指定ください) | Δλ | 1530 | 1550 | 1580 | nm |
サイドモード抑制比 | SMSR | 30 | 40 | dB | |
光スペクトル幅(-3 dBフル幅、連続バイアス = IOP) | σ | 300 | MHz | ||
相対強度ノイズ | RIN | -128 | dB/Hz | ||
TEC 電圧 | VTEC | 0.35 | 1.5 | V | |
TEC 電流 | ITEC | 0.05 | 0.6 | A | |
Tec 特性 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 備考 |
Tec 電流 | mA | -150(Heating) | +300(Cooling) | 適切なヒートシンクが必要 | |
NTC サーミスタ抵抗 | KΩ | 9.5 | 10.0 | 10.5 | T=25℃@10 KΩ |
NTC サーミスタ抵抗 | KΩ | 10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)} | |||
光学スペクトルデータ(測定条件:15℃、10 mA)

L-I特性カーブ(T@25°C)

出力安定性

波長可変性

波長安定性(1.949pm)

ビーム品質 2D/3D

2D

3D

TO package Bottom side View (Unit in mm)

絶対最大定格
項目 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
保管温度 | ℃ | -40 | 25 | 125 |
チップ温度 | ℃ | +10 | 25 | 40 |
動作電流 | mA | 0 | 12 | 18.0 |
順方向電圧 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
TEC電流 | mA | -150 | - | +300 |
はんだ付け温度* | ℃ | 100 | 130 | 260 |
電力消費 | mw | - | - | 1.5 |
※TECの温度は150℃以下にしてください。
● TDLASによるガス測定システム
● 顔認証システム
● LiDAR
● データセンター・クラウドコンピューティング
PL-VCSEL-W□□□□-☆-A8▽
□□□□:波長
0760: 760nm
0795: 794.7nm
*****
1310: 1310nm
1567: 1567nm
☆ : TEC
0: TEC無し
1: TEC付き
▽:波長許容範囲
1: ±0.5nm
2: ±1.5nm