Φ1 mm PD1000 InGaAsフォトダイオードチップ     


LD-PDのInGaAs PIN構造は、MOCVD法と平面拡散技術に基づいてInP基板上に製造されています:LD-PDのInGaAsフォトダイオードチップは、MOCVD(有機金属化学蒸着法)法を使用してInP(インジウムリン)基板上に製造されています。この高度な製造技術により、高品質で一貫した性能が確保されます。TOフォトダイオードシリーズ製品の感度エリアは、φ75µm、φ300µm、φ500µm、φ1mm、φ2mm、φ3mmのサイズがあります。ユーザーの要求に応じて、カスタムサイズ、形状、またはパッケージスタイルでの提供も可能です。




製品 モデル


名称 モデル 価額
PD1000 InGaAsフォトダイオードチップ   [PDF]  [RFQ]

PD1000
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パラメータ


特長

·高受光感度、前面入射型、両面パッド構造

·φ1 mm 円形光学ウィンドウ

·メタン(CH₄)検出用(1654 nm)に最適化設計、低温環境下での受光感度を向上


電気・光学特性(E/O特性)

オプトエレクトロニクス特性(@Tc=22±3℃)

パラメータ

テスト条件

最小値

典型値

最大値

単位

応答特性1

λ=1310nm

0.9

0.95

-

A/W

応答特性2

λ=1550nm

0.95

1

-

A/W

暗電流

V=-5V

-

0.8

3

nA

ブレークダウン電圧

I=-10µA

40

-

-

V

静電容量

V=-5V,f=1MHz

-

45

65

pF

正方向電圧

I=1mA

-

0.43

0.7

V

 

図1に示すように @ Vr=0V、TC=22±3℃

t1.png


t2.png


応答性、R (A/W)


HBSABS.jpg

外形図およびダイ寸法

図1に示すように

t3.png

図1


パラメータ

最小値

典型値

最大値

単位

備考

チップ幅

1140

1150

1160

µm


チップ長

1140

1150

1160

µm


検出ウィンドウ

—

1000

—

µm


厚さ

190

200

210

µm


ボンディングパッド直径

—

150

—

µm

For p-pad

 注記:本 PIN PD は、プラナー構造の前面入射型であり、上部に P 電極、下部に N 電極を有しています。

 

絶対最大定格

パラメータ

定格

静電気放電(HBM)

>1200V

  逆方向電流

-10mA

  順方向電流

10mA

 逆方向電圧

-20V

 動作温度

-40 to 85 ⁰C

保存温度

-40 to 125 ⁰C

注意:
取り扱いには十分ご注意ください。InP は脆性材料であり、ESD(静電気放電)にさらされると、デバイスが恒久的に損傷する可能性があります。本仕様は、予告なく変更される場合があります。

応用 / 用途

·  光ファイバー通信

·  光ファイバーセンサー


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