特長
● 動作波長：0.95μm ～ 1.65μm
● 単一光子検出用途向けに最適化された専用設計
● 内部に3段式クーラーを内蔵
● ピグテール付き、バタフライ型・気密封止のデュアルチャネルモジュール
主要パラメータ
主な光電子特性
1．リニアモード特性
パラメータ | 試験条件（特に指定のない場合、Tc = 25±5℃） | 最小値 | 最大値 | 単位 |
有効検出面径 d | — | 25 | — | μm |
分光応答波長範囲 | — | 950 | 1650 | nm |
逆方向ブレークダウン電圧 VBR | IR=10 μA ，Φe=0 | 60 | 85 | V |
感度Re | Φe=1μW，VR=(VBR-1)V, λ=1550 nm±50 nm | 8 |
| A/W |
暗電流 ID | VDC =(VBR-1) V，Φe=0 |
| 1 | nA |
静電容量 Ctot | VDC =(VBR-1) V，f=1MHz | — | 0.6 | pF |
ブレークダウン電圧の温度係数 η | TC =-45～+30℃ , IR =10μA，φe=0 | 0.10 | 0.15 | V/℃ |
ガイガーモード特性
パラメータ | 試験条件 | 最小値 | 最大値 | 単位 |
単一光子検出効率（PDE） | TA = -30±5℃, μ=1, fg = 100 MHz, fP = 500 kHz, DCR ≤ 5.0 kHz ，λ = 1.55μm | 10 |
| % |
ダークカウントレート（DCR） | TA = -30±5℃, fg = 100 MHz， SPDE = 10%±0.5 % ，λ = 1.55μm |
| 2.5 | kHz |
アフターパルス確率（APP）
（1000 ns） | TA = -30±5℃, μ=1, fg = 100 MHz, fP = 500 kHz, SPDE = 10%±0.5 % ，λ = 1.55μm |
| 3 | % |
タイムジッタ（TJ） | SPDE=10% |
| 500 | ps |
注：λは入射光の波長、Tₐは試験温度、μは1パルスあたりの平均光子数、fgはゲート信号の周波数、fₚは光パルス信号の周波数を示します。
絶対最大定格および推奨動作条件
項目 | パラメータ | 定格 |
絶対最大定格 | 1 | 保管温度 TSTG | -50℃～+85℃ |
| 2 | 動作環境温度 TC | -50℃～60℃ |
| 3 | はんだ付け温度 Tsld（時間） | 260℃（10s） |
| 4 | 逆方向直流バイアス電圧 VDC | VBR+5 V |
| 5 | 入力光パワー φe（連続） | 1 mW |
| 6 | 順方向電流 IF（連続） | 200 μA |
| 7 | 静電気感度 ESD | ≥300 V |
| 8 | ピグテール引張力 | 3.0 N |
| 9 | TEC 電圧 | 11.9 V |
| 10 | TEC 電流 | 0.8 A |
項目 | パラメータ | 定格 |
推奨動作条件 | 1 | APD チップ動作温度 Tth | -50℃～-30℃ |
| 2 | 逆方向直流バイアス電圧 VDC | VBR+1V～VBR+5V |
典型特性カーブ
図1 光電流および暗電流特性曲線
図2 ブレークダウン電圧の温度係数
寸法およびピン定義
パッケージ外形
記号 | 最小 |
| 最大 | 記号 | 最小 |
| 最大 | 記号 | 最小 |
| 最大 |
H1 | 6.5 | - | 7.0 | L2 | 10.0 | - | 30.0 | L8 | 8.8 | - | 9.2 |
H2 | 1.8 | - | 2.2 | L3 | 3.8 | - | 4.2 | L9 | 12.5 | - | 13.5 |
H3 | 6.5 | - | 7.0 | L4 | 3.0 | - | 3.3 | L10 | 28.5 | - | 30.5 |
H4 | 9.0 | - | 10.5 | L5 | 29.2 | - | 29.8 | ф1 | 3.0 | - | 6.6 |
L0 | 1000.0 | - | - | L6 | 24.5 | - | 25.5 | ф2 | 0.35 | - | 0.50 |
L1 | 21.2 | - | 21.8 | L7 | - | 2.54 | - | ф3 | 2.2 | - | 2.6 |
等価回路およびピン定義
ピン# | 機能 | ピン# | 機能 |
1 | 予備端子 | 8 | 予備端子 |
2 | 予備端子 | 9 | 予備端子 |
3 | ダイオードⅠ（N） | 10 | ダイオード II (N) |
4 | ダイオードⅠ 信号出力（Vout） | 11 | ダイオード II 信号出力（Vout） |
5 | ダイオードⅠ（P） | 12 | ダイオード II (P) |
6 | サーミスタ（Rth） | 13 | サーミスタ (Rth) |
7 | TEC＋ | 14 | TEC- |
EC/NTC 電気的パラメータ
NTC（サーミスタ）: RT = 10 kΩ @ 25℃, β = 3450,5%。
TEC（熱電冷却器）: IMAX = 0.8 A, VMAX = 11.9 V, THMAX = 200℃
注文情報
SPD6528Q-XX-XX/XXX(XXX)
XX:ファイバタイプ
SM
XX/XXX:ファイバコネクタ
XX: FC
SC
LC
NC
XXX:
UPC
APC
(XXX):ファイバ長
1.0m
1.5m
注意事項
● 本製品は静電気に敏感なデバイスであり、保管および使用時にESD（静電気放電）保護を行う必要があります。
● 製品の光ファイバーの曲げ半径は30mm以上である必要があります。保管および使用時に光ファイバーの破損やコネクタの汚染、損傷を避けてください。
● 本製品は外部冷却が必要です。冷却用クランプキャリアは熱伝導性の良い素材で作成し、デバイスリードの一端のキャビティ壁とクランプキャリアの接触面を密着させ、両者の接触面には熱伝導性材料を塗布してください。
● 製品は清潔で通気性のある環境で、腐食性のガスがない温度-10～+40℃、湿度80％以下の場所に保管してください。
