本製品は複合型Si-PIN構造を採用した高速・高感度フォトダイオードです。高応答特性を実現するため、背面エッチングによりI層を薄膜化し、キャリア通過時に光電流を生成します。遅い光キャリア成分を短絡することで、高速応答を達成しています。

当社独自の特許パッケージ「Bulletデザイン」は、異なる波長域に最適化された2種類のチップ構造を採用しています。

Circleチップ: 950 nm付近にピーク感度を持ち、1060 nm付近でも高い感度を示します。Squareチップ: 900 nm付近にピーク感度を持ち、450～650 nm帯に優れた応答を示します。

デバイスは、アクティブエリア径に対応した任意サイズの光ファイバとピグテール接続が可能です。標準ファイバ長は1 mで、ST、FC、SC、LCコネクタ（PCまたはAPC研磨）が選択可能です。

Tsub = 25°C、特に記載のない限り CW バイアスにて測定Circle チップ

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

Square チップ

備考（Note）：飽和光パワー ≤ 0.3 W/cm²

典型特性曲線

Responsivity, R (A/W)

 Circle chip Wavelength, λ (nm)

 Responsivity, R (A/W)

Square chip Wavelength, λ (nm)

静電容量-電圧特性曲線

capacitance

                                                                                                                                                                                                   Voltage（V）

応用回路