特長
· 電気的および光学的特性が温度に対して低い依存性
· OC-3からOC-48までのデータレート
· 垂直キャビティ面発光レーザー（VCSEL）
· 内蔵TECおよびサーミスター、ESD保護
· 狭いライン幅
· TECによる2nmの波長可変性
電気・光学特性（E/O特性）
条件：TOP = 20℃、IOP = 10.0 mA（特に記載のない場合）
※TOP = チップ裏面温度（TEC により制御）
パラメータ | 記号 | 最小値 | 典型値 | 最大値 | 単位 | 備考 |
発光波長 | λR | 1530-1570nm |
閾値電流 | ITH |
| 2 |
| mA |
|
出力パワー | Popt | 0.5 |
|
| mW |
|
閾値電圧 | UTH |
| 1.8 |
| V |
|
駆動電流 | IOP |
|
| 15 | mA | Popt = 0.5mW |
レーザ電圧 | UOP |
| 3 |
| V | Popt = 0.5 mW |
電気光変換率 | ηWP |
| 12 |
| % | Popt = 0.5 mW |
スロープ効率 | ηS |
| 0.3 |
| W/A |
|
立ち上がり・立ち下がり時間 | Tr /Tf |
| 90/120 |
| Psec |
|
微分直列抵抗 | RS |
| 100 | 200 | Ω | Popt = 0.5 mW |
3 dB 帯域幅 | ν3dB | 0.10 |
|
| GHz | Popt = 0.5 mW ESD 保護ダイオードにより |
相対強度雑音（RIN） | RIN |
| -130 | -120 | dB/Hz | Popt = 0.3 mW @ 1 GHz |
電流による波長チューニング |
|
| 0.6 |
| nm/mA |
|
温度による波長チューニング |
|
| 0.06 |
| nm/K |
|
熱抵抗（VCSEL チップ） | Rthermal | 3 |
| 5 | K/mW |
|
サイドモード抑制 |
| 35 |
|
| dB | I = 2 mA |
ビーム発散角 | θ | 10 |
| 25 | ° | Popt = 0.5mW, 全幅 1/e2 |
スペクトル幅 |
|
| 100 |
| MHz | Popt = 0.5 mW |
TEC 電流 | Itc | -150(Heating) |
| +300(Cooling) | mA | 適切なヒートシンクが必要 |
NTC サーミスタ抵抗 |
| 9.5 | 10.0 | 10.5 | KΩ | T=25℃@10 KΩ |
スペクトル
L-Iカーブ(T@25°C)
温度／波長チューニング（TEC 電流による）*
寸法およびピン定義
Unit in mm
TOパッケージの底面ビュー
1 | TEC (-) | 5 | TEC (+) |
2 | サーミスタ | 6 | サーミスタ |
3 | N/C | 7 | PDモニターカソード（+） |
4 | VCSELカソード（–）/PDモニターアノード（-） | 8 | VCSELアノード（+） |
絶対最大定格
項目 | 単位 | 最小値 | 典型値 | 最大値 |
保管温度 | ℃ | -40 | 25 | 125 |
チップ温度 | ℃ | +10 | 25 | 40 |
動作電流 | mA | 0 | 3.0 | 15.0 |
順方向電圧 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
TEC電流 | mA | -150 | - | +300 |
はんだ付け温度* | ℃ | 100 | 130 | 260 |
電力消費 | mw | - | - | 5 |
（*TEC温度は150°C以下である必要があります）
応用 / 用途
· 長距離アクセスネットワーク
· ローカルエリアネットワーク
· ギガビットイーサネット
注文情報
PL-VCSEL-☆-A8▽-W□□□□-XX
☆ ：TEC
0：TECなし
1：TEC付き
▽：波長許容差
1：±0.5nm
2：±1.5nm
□□□□：波長
0760：760nm
0850：850nm
*****
1550：1550nm
XX：ファイバーおよびコネクタタイプ
FS = フリースペース
BFSA = バタフライパッケージ + SMF-28E + FC/APC
CPSA = 同軸パッケージ + SMF-28E + FC/APC
BFSP = バタフライパッケージ + SMF-28E + FC/PC
CPSP = 同軸パッケージ + SMF-28E + FC/PC
BFPP = バタフライパッケージ + PMファイバー + FC/PC
CPPA = 同軸パッケージ + PMファイバー + FC/APC
